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A new failure mechanism on analog I/O cell under ND-mode ESD stress in deep-submicron CMOS technology
Shih Hung Chen
*
,
Ming-Dou Ker
, Che Hao Chuang
*
此作品的通信作者
研究成果
›
同行評審
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
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指紋
指紋
深入研究「A new failure mechanism on analog I/O cell under ND-mode ESD stress in deep-submicron CMOS technology」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Diode
100%
Failure Mechanism
100%
Deep Submicron Technology
100%
ESD Failure
100%
O-cell
100%
Protection Scheme
50%
ESD Robustness
50%
Discharge Path
50%
Guard Ring
50%
ESD Protection Diode
50%
Guard-ring Structure
50%
Engineering
Failure Mechanism
100%
Protection Scheme
50%
Biochemistry, Genetics and Molecular Biology
Solution and Solubility
100%