跳至主導覽
跳至搜尋
跳過主要內容
國立陽明交通大學研發優勢分析平台 首頁
English
中文
首頁
人員
單位
研究成果
計畫
獎項
活動
貴重儀器
影響
按專業知識、姓名或所屬機構搜尋
A New Dynamic Random Access Memory Cell Using a Bipolar MOS Composite Structure
Chung-Yu Wu
*
*
此作品的通信作者
研究成果
:
Article
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「A New Dynamic Random Access Memory Cell Using a Bipolar MOS Composite Structure」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Composite structures
99%
Data storage equipment
59%
Capacitance
55%
Capacitor storage
48%
Bipolar transistors
40%
Polysilicon
37%
Random access storage
35%
Transistors
27%
Fabrication
24%
Chemical Compounds
Capacitor
100%
Composite Material
48%