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A GaN-based Doherty Power Amplifier for 5G Basestation Applications
Yi Fan Tsao
,
Heng Tung Hsu
, Jiun Jie Huang
前瞻半導體研究所
半導體工程學系
國際半導體產業學院
國立陽明交通大學
智慧半導體奈米系統技術研究中心
研究成果
:
Conference contribution
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同行評審
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指紋
指紋
深入研究「A GaN-based Doherty Power Amplifier for 5G Basestation Applications」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
GaN-based
100%
Base Station
100%
Doherty Power Amplifier
100%
High Efficiency
33%
Peak Power
33%
Psat
33%
Power Amplifier
33%
Power Added Efficiency
33%
High Electron Mobility Transistor
33%
Highly Linear
33%
Operating Frequency
33%
Saturated Output Power
33%
Fifth-generation (5G) Communication
33%
Continuous Wave Signal
33%
Base Station Applications
33%
Engineering
Basestation
100%
Doherty Power Amplifier
100%
Output Power
33%
Communication System
33%
Continuous Wave
33%
Power Amplifier
33%
Peak Power
33%
Power Added Efficiency
33%
Operating Frequency
33%
Earth and Planetary Sciences
Power Amplifier
100%
High Electron Mobility Transistors
25%
Continuous Radiation
25%
Communications System
25%