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A dopant-related defect in Te-doped AIInP
Yu Rue Wu
*
, Wei Jer Sung, Tzu Chi Wen, Shih Chang Lee,
Wei-I Lee
*
此作品的通信作者
電子物理學系
研究成果
:
Article
›
同行評審
4
引文 斯高帕斯(Scopus)
總覽
指紋
指紋
深入研究「A dopant-related defect in Te-doped AIInP」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Dopant
100%
Doping Concentration
100%
Te-doped
100%
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
50%
Deep Level Transient Spectroscopy
50%
Concentration Profile
50%
Distribution Behavior
50%
Distribution Profile
50%
Thermal Activation Energy
50%
Trap Distribution
50%
Trap Concentration
50%
Chemical Engineering
Vapor Deposition
100%
Chemical Vapor Deposition
100%
Material Science
Doping (Additives)
100%
Deep-Level Transient Spectroscopy
25%
Activation Energy
25%
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
25%