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A 4H-SiC Trench MOS Capacitor Structure for Sidewall Oxide Characteristics Measurement
Huai Lin Huang
*
, Li Tien Hsuesh, Yen Cheng Tu,
Bing Yue Tsui
*
此作品的通信作者
電子研究所
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
總覽
指紋
指紋
深入研究「A 4H-SiC Trench MOS Capacitor Structure for Sidewall Oxide Characteristics Measurement」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Sidewall
100%
Oxides
100%
MOS Capacitor
100%
Characteristics Measurement
100%
Capacitor Structure
100%
4H-SiC
100%
Trench MOSFET
100%
Polysilicon
50%
Spacer Structure
50%
Gate Oxide
50%
Annealing Process
50%
Passivated
50%
Interface State Density
50%
Capacitance Characteristics
50%
Induced Defects
50%
Thick Bottom Oxide
50%
Oxide Property
50%
NO Annealing
50%
Trench Etching
50%
Engineering
Side Wall
100%
Interface State
50%
Annealing Process
50%
Gate Oxide
50%
Test Structure
50%
Induced Defect
50%
Material Science
Oxide Compound
100%
Capacitor
100%
Density
33%
Silicon
33%
Capacitance
33%