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A 4-7 GHz Broadband Cryogenic GaAs mHEMT LNA with a Flatness Gain Variation of ±1.2 dB
Che Hao Li
*
, Tzu Han Su,
Chien Nan Kuo
*
此作品的通信作者
電機工程學系
電子研究所
研究成果
:
Conference contribution
›
同行評審
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指紋
指紋
深入研究「A 4-7 GHz Broadband Cryogenic GaAs mHEMT LNA with a Flatness Gain Variation of ±1.2 dB」主題。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Gallium Arsenide
100%
Metamorphic High Electron Mobility Transistor (mHEMT)
100%
Gain Variation
100%
Low Noise Amplifier
100%
Power Consumption
66%
High Gain
66%
Common-source Stage
33%
Wide Bandwidth
33%
Bandwidth Enhancement
33%
Input Matching
33%
Input Matching Network
33%
Stage Matching
33%
Quantum Computer
33%
Low Power Mode
33%
Cryogenic Low Noise Amplifier
33%
Computer Application
33%
Engineering
Gallium Arsenide
100%
Gain Variation
100%
Low Noise Amplifier
100%
Flatness
100%
Electric Power Utilization
50%
Power Mode
25%
Matching Network
25%
Computer Applications
25%
Quantum Computer
25%
Earth and Planetary Sciences
Low Noise
100%
High Electron Mobility Transistors
100%
Flatness
100%
Cryogenics
100%
Quantum Computer
25%