0.12 μm raised gate/source/drain epitaxial channel NMOS technology

T. Ohguro*, H. Naruse, H. Sugaya, H. Kimijima, E. Morifuji, T. Yoshitomi, T. Morimoto, H. S. Momose, Y. Katsumata, H. Iwai

*此作品的通信作者

研究成果: Conference article › 同行評審

16 引文 斯高帕斯（Scopus）

指紋

深入研究「0.12 μm raised gate/source/drain epitaxial channel NMOS technology」主題。共同形成了獨特的指紋。

Physics & Astronomy

Chemical Compounds

Engineering & Materials Science