薄膜電晶體結構及其製作方法

Chang, K.-M. (2003). 薄膜電晶體結構及其製作方法. (專利號 181602).

Chang, Kow-Ming (Inventor). / 薄膜電晶體結構及其製作方法. 專利號: 181602. 11月 07, 2003.

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Chang, K-M 11月. 07 2003, 薄膜電晶體結構及其製作方法, 專利號 181602.

薄膜電晶體結構及其製作方法. / Chang, Kow-Ming (Inventor).
專利號: 181602. 11月 07, 2003.

研究成果: Patent

TY - PAT

T1 - 薄膜電晶體結構及其製作方法

AU - Chang, Kow-Ming

PY - 2003/11/7

Y1 - 2003/11/7

M3 - Patent

M1 - 181602

ER -

Chang KM, 發明者. 薄膜電晶體結構及其製作方法. 181602. 2003 11月 7.

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