Chung-Chih Hung (Inventor)
研究成果: Patent
}
TY - PAT
T1 - 由金氧半場效電晶體臨界電壓與熱效應電壓所組成之參考電壓電路
AU - Hung, Chung-Chih
PY - 2006/12/21
Y1 - 2006/12/21
M3 - Patent
M1 - I269402
ER -