Edward Yi Chang (Inventor), Heng-Tung Hsu (Inventor)
研究成果: Patent
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TY - PAT
T1 - 提升高電子遷移率電晶體元件崩潰電壓的方法
AU - Chang, Edward Yi
AU - Hsu, Heng-Tung
PY - 2016/2/21
Y1 - 2016/2/21
M3 - Patent
M1 - I523148
ER -