Albert Chin (Inventor)
研究成果: Patent
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TY - PAT
T1 - 利用自動對準低溫淺接面製造具有極低臨界電壓金屬閘極／高介電常數材質之互補金氧半場效電晶體之方法
AU - Chin, Albert
PY - 2015/5/1
Y1 - 2015/5/1
M3 - Patent
M1 - I483345
ER -