Li Chang (Inventor)
研究成果: Patent
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TY - PAT
T1 - 以單晶氧化物作為基板成長纖鋅礦結構半導體非極性m面磊晶層之方法
AU - Chang, Li
PY - 2014/2/1
Y1 - 2014/2/1
M3 - Patent
M1 - I425559
ER -