一種鈣鈦礦薄膜電容結構及其製造方法

Peng Lin (Inventor), Tseung-Yuen Tseng (Inventor)

研究成果: Patent

摘要

本案係指一種於低溫下之電晶體鈣鈦礦電容結構及其製造方法，其包含下列步驟：(a)提供一基板；(b)形成一釕薄膜於該基板上；以及(c)再依序形成一第一釕酸鍶鋇電極、一鈣鈦礦電容材料之結構、及一第二釕酸鍶鋇電極結構於該釕薄膜上。

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author = "Peng Lin and Tseung-Yuen Tseng",

year = "2004",

month = nov,

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type = "Patent",

note = "I223433",

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TY - PAT

T1 - 一種鈣鈦礦薄膜電容結構及其製造方法

AU - Lin, Peng

AU - Tseng, Tseung-Yuen

PY - 2004/11/1

Y1 - 2004/11/1

N2 - 本案係指一種於低溫下之電晶體鈣鈦礦電容結構及其製造方法，其包含下列步驟：(a)提供一基板；(b)形成一釕薄膜於該基板上；以及(c)再依序形成一第一釕酸鍶鋇電極、一鈣鈦礦電容材料之結構、及一第二釕酸鍶鋇電極結構於該釕薄膜上。

AB - 本案係指一種於低溫下之電晶體鈣鈦礦電容結構及其製造方法，其包含下列步驟：(a)提供一基板；(b)形成一釕薄膜於該基板上；以及(c)再依序形成一第一釕酸鍶鋇電極、一鈣鈦礦電容材料之結構、及一第二釕酸鍶鋇電極結構於該釕薄膜上。

M3 - Patent

M1 - I223433

ER -