一種鈣鈦礦薄膜電容結構及其製造方法

Peng Lin (Inventor), Tseung-Yuen Tseng (Inventor)

    研究成果: Patent

    摘要

    本案係指一種於低溫下之電晶體鈣鈦礦電容結構及其製造方法,其包含下列步驟:(a)提供一基板;(b)形成一釕薄膜於該基板上;以及(c)再依序形成一第一釕酸鍶鋇電極、一鈣鈦礦電容材料之結構、及一第二釕酸鍶鋇電極結構於該釕薄膜上。
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    專利號I223433
    出版狀態Published - 1 11月 2004

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