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以原子層沉積技術來製作高品質金屬摻雜於介面層之應用於垂直堆疊式高遷移率鍺通道奈米片電晶體之研究
Chien, Chao-Hsin
(PI)
電子研究所
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專案詳細資料
狀態
已完成
有效的開始/結束日期
1/08/21
→
31/07/22
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