每年研究成果
每年研究成果
個人檔案
教育/學術資格
PhD, 材料科學與工程, National Chiao Tung Univerisity
指紋
查看啟用 Yueh-Chin Lin 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
-
High linearity AlGaN/GaN HEMTs with Au-free Ti/Al/Ni/Ti ohmic contacts for Ka-band applications
Hsu, C. W., Lin, Y. C., Lee, S. L., Chen, K. W., Chen, Y. C. & Chang, E. Y., 1 7月 2024, 於: Applied Physics Express. 17, 7, 071001.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
Improvement of AlGaN/GaN HEMT Noise Figure Using Thick Cu Metallization for Satellite Communication Applications
Tseng, H., Lin, Y. C., Cheng, C., Chen, P. W., Hsu, H. T., Tsao, Y. F. & Chang, E. Y., 2024, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 12, p. 268-274 7 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取3 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Improvement of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Radio Frequency Performance Using Ohmic Etching Patterns for Ka-Band Applications
Lee, M. W., Chuang, C. W., Gamiz, F., Chang, E. Y. & Lin, Y. C., 1月 2024, 於: Micromachines. 15, 1, 81.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
A Tall Gate Stem GaN HEMT With Improved Power Density and Efficiency at Ka-Band
Lee, P. H., Lin, Y. C., Hsu, H. T., Tsao, Y. F., Dee, C. F., Su, P. & Chang, E. Y., 2023, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 11, p. 36-42 7 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取9 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Impact of Source Resistance on Linearity of AlGaN/GaN HEMTs at Ka-Band
Lee, P. H., Lin, Y. C., Chiang, C. C., Lai, K. H., Hsu, H. T., Su, P. & Chang, E. Y., 10月 2023, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 12, 10, 105001.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取2 引文 斯高帕斯（Scopus）