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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
李 義明
教授
國立陽明交通大學
https://orcid.org/0000-0001-7374-0964
h-index
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h5-index
4527
引文
33
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1197
引文
18
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
630
引文
15
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
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2024
255
Article
235
Conference contribution
15
Conference article
13
Editorial
15
更多
7
Paper
6
Chapter
1
Book
1
Review article
每年研究成果
每年研究成果
7結果
出版年份,標題
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出版年份,標題
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Paper
搜尋結果
2008
A Diffusion Model to Growth Phase Forecasting of 3G Industry in Taiwan
Lin, C. C., Tang, Y.-H., Shyu, J. Z. &
Lee, Y.-M.
,
7月 2008
,
p. 2048-2056
.
9 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Taiwan
100%
Diffusion Model
100%
Growth Phase
100%
Industry
100%
System Dynamics
100%
Asymmetric gate capacitance and high frequency characteristic fluctuations in 16 nm bulk MOSFETs due to random distribution of discrete dopants
Li, Y.-M.
, Hwang, C. H. & Yeh, T. C.,
15 6月 2008
.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Dopant
100%
Bulk MOSFET
100%
High-frequency Characteristics
100%
Random Distribution
100%
Gate Capacitance
100%
Emission efficiency dependence on the tilted angle of nanogaps in surface conduction electron-emitter
Li, Y.-M.
, Kuo, Y. T., Cheng, H. W., Yeh, T. C., Lo, H. Y., Chiang, M. T. & Mo, C. N.,
2008
,
p. 205-208
.
4 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Tilt Angle
100%
Emission Efficiency
100%
Surface Conduction Electron Emitter
100%
Nanogap
100%
Electric Field
100%
Reduction of discrete-dopant-induced high-frequency characteristic fluctuations in nanoscale CMOS circuit
Li, Y.-M.
, Hwang, C. H., Yeh, T. C., Huang, H. M., Li, T. Y. & Cheng, H. W.,
9 9月 2008
,
p. 209-212
.
4 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Nanoscale CMOS
100%
CMOS Circuits
100%
High-frequency Characteristics
100%
Discrete Dopants
100%
Characteristic Fluctuation
100%
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
2006
A fuzzy MCDM approach to evaluation of account receivable purchase
Hung, C. Y.,
Li, Y.-M.
& Chianga, Y. H.,
6月 2006
,
p. 4391-4402
.
12 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
MCDM Approach
100%
Fuzzy MCDM
100%
Accounts Receivable
100%
Taiwan
50%
Multi-criteria
50%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
Effect of fin angle on electrical characteristics of nanoscale bulk FinFETs
Li, Y.-M.
& Chen, W. H.,
5月 2006
,
p. 20-23
.
4 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Electrical Characteristics
100%
Bulk FinFET
100%
Fin Angle
100%
Nanoscale
100%
Integrated Circuit Design
100%
2
引文 斯高帕斯(Scopus)
Three-dimensional simulation of polysilicon thin film transistors with single-, double- and surrounding-gate structures
Li, Y.
& Lee, B. S.,
5月 2006
,
p. 86-89
.
4 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Double Gate
100%
Polycrystalline Silicon Thin-film Transistors (poly-Si TFTs)
100%
Gate Structure
100%
Three Dimensional Simulation
100%
Surrounding Gate
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)