每年專案
個人檔案
研究專長
半導體元件模式與模擬、電路模擬與設計最佳化、顯示、生醫與能源電子
計算(計算科學與工程、數值、演化計算)
數學(問題建模、微分方程、最佳化理論)
物理(奈米半導體材料、量子、與固態物理)
奈米元件設計、模擬與分析
半導體奈米結構物理與模擬
晶體電子結構量子力學計算
電晶體等效模型暨參數萃取
電路模擬器理論與程式開發
經歷
1995/6~1995/12 國立交通大學電子與資訊研究中心研究副教授/助理教授
國科會國家奈米元件實驗室副研究員/組長
美國麻州大學Amherst校區電機資訊工程學系訪問助理教授
工業技術研究院系統晶片中心顧問
美國加州矽谷Lovoltech Inc總經理室顧問
瑞士商ISE台灣分公司總經理室顧問
國立交通大學電信工程學系副教授
國立交通大學電機系教授
國家實驗研究院國家奈米元件實驗室研究員
國家實驗研究院國家奈米元件實驗室副主任
教育/學術資格
PhD, 電機工程, 國立陽明交通大學
外部位置
指紋
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- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
專案
- 20 已完成
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先進三維度多通道垂直堆疊奈米線(片)全閘極場效應電晶體暨多電疇鐵電材料負電容元件特性擾動及其在電路操作變異影響之研究
1/08/20 → 31/07/21
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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A Hybrid 1D-CNN-LSTM Technique for WKF-Induced Variability of Multi-Channel GAA NS- and NF-FETs
Dash, S., Li, Y. & Sung, W. L., 2023, 於: IEEE Access. 11, p. 56619-56633 15 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
A Physical-Based Artificial Neural Networks Compact Modeling Framework for Emerging FETs
Yang, Y. S., Li, Y. & Kola, S. R., 2023, (Accepted/In press) 於: IEEE Transactions on Electron Devices. p. 1-8 8 p.研究成果: Article › 同行評審
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Application of Deep Artificial Neural Network to Model Characteristic Fluctuation of Multi-Channel Gate-All-Around Silicon Nanosheet and Nanofin MOSFETs Induced by Random Nanosized Metal Grains
Dash, S., Li, Y. & Sung, W. L., 2023, 7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthen the Global Semiconductor Research Collaboration After the Covid-19 Pandemic, EDTM 2023. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (7th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthen the Global Semiconductor Research Collaboration After the Covid-19 Pandemic, EDTM 2023).研究成果: Conference contribution › 同行評審
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Application of long short-term memory modeling technique to predict process variation effects of stacked gate-all-around Si nanosheet complementary-field effect transistors
Butola, R., Li, Y., Kola, S. R., Akbar, C. & Chuang, M. H., 1月 2023, 於: Computers and Electrical Engineering. 105, 108554.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Electronic Structures of Monolayer Binary and Ternary 2D Materials: MoS2, WS2, Mo1−xCrxS2, and W1−xCrxS2 Using Density Functional Theory Calculations
Chen, C. Y., Li, Y. & Chuang, M. H., 1月 2023, 於: Nanomaterials. 13, 1, 68.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取
獎品
活動
- 1 Invited talk
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The 15th International Meeting on Information Display
Yi-Ming Lee (Speaker)
1 1月 2015活動: Invited talk