吳 耀銓

研究成果

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每年研究成果

每年研究成果

搜尋結果

• 2015

  半導體製程方法

  Wu, Y.-C. (Inventor), 27 5月 2015, 專利號 1676392

  研究成果: Patent
• 2014

  METHOD OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS

  Wu, Y.-C. (Inventor), 9 12月 2014, 專利號 US 8,906,778 B2

  研究成果: Patent

• THERMAL DISSIPATION SUBSTRATE

  Wu, Y.-C. (Inventor), 5 8月 2014, 專利號 US 8,796,071 B2

  研究成果: Patent

• 半導體製程方法

  Wu, Y.-C. (Inventor), 9 1月 2014, 專利號 10-1352242

  研究成果: Patent

• 半導體製程方法

  Wu, Y.-C. (Inventor), 21 7月 2014, 專利號 I446583

  研究成果: Patent

• 半導體製程方法

  Wu, Y.-C. (Inventor), 28 2月 2014, 專利號 5486578

  研究成果: Patent

• 利用離子佈植形成金屬誘發結晶的製作方法

  Wu, Y.-C. (Inventor), 1 10月 2014, 專利號 I455186

  研究成果: Patent
• 2013

  利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法

  Wu, Y.-C. (Inventor), 1 2月 2013, 專利號 I384534

  研究成果: Patent
• 2008

  SELECTIVE AREA GROWTH CARBON NANOTUBES BY METAL IMPRINT METHOD

  Wu, Y.-C. (Inventor), 25 11月 2008, 專利號 7455885

  研究成果: Patent

• 半導體裝置及其製造方法

  Wu, Y.-C. (Inventor), 11 8月 2008, 專利號 I299881

  研究成果: Patent

• 轉移側向覆蓋生長磊晶層之方法

  Wu, Y.-C. (Inventor), 1 9月 2008, 專利號 I300589

  研究成果: Patent
• 2006

  利用晶體成長過濾基板而進行鎳誘發非晶矽結晶

  Wu, Y.-C. (Inventor), 21 11月 2006, 專利號 I267142

  研究成果: Patent
• 2005

  利用晶圓接合方式剝離無遮罩層懸浮生長之氮化鎵磊晶層製造方法

  Wu, Y.-C. (Inventor), 1 6月 2005, 專利號 I233635

  研究成果: Patent
• 2004

  METHOD FOR TRANSFERRING EPITAXY LAYER

  Wu, Y.-C. (Inventor), 3 2月 2004, 專利號 US 6,686,257 B1

  研究成果: Patent

• 應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構

  Wu, Y.-C. (Inventor), 4 10月 2004, 專利號 203460

  研究成果: Patent