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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
吳 耀銓
教授
材料科學與工程學系
智慧半導體奈米系統技術研究中心
https://orcid.org/0000-0003-3333-9505
電話
03-51-31555#55378
電子郵件
sermonwu
faculty.nctu.edu
tw
網站
https://yswlab.nctu.edu.tw/
h-index
h10-index
h5-index
1616
引文
20
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
453
引文
13
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
243
引文
9
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1990 …
2024
每年研究成果
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2024
135
Article
22
Conference contribution
15
Patent
7
Conference article
7
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Paper
1
Letter
每年研究成果
每年研究成果
6結果
出版年份,標題
(降序)
出版年份,標題
(升序)
標題
類型
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Paper
搜尋結果
2009
Improved MILC poly-Si TFTs performance using CF4 plasma
Chang, C. P. &
Wu, Y.-C.
,
1 12月 2009
.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Polycrystalline Silicon Thin-film Transistors (poly-Si TFTs)
100%
Metal-induced Crystallization
100%
Transistor Performance
100%
CF4 Plasma
100%
Silicon
100%
2005
Effects of in- And anti-phase bonding and type of dopant on the microstructures of nano-scaled interface and electrical properties of N/P-type GaAs wafers (at and below 600°C)
Cheng, J. H., Ouyang, H., Lu, C. L.,
Wu, Y.-C.
& Chiou, S. H.,
5月 2005
,
p. 393-398
.
6 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Dopant
100%
P-type
100%
Electrical Performance
100%
Electrical Properties
100%
Microstructure
100%
Effects of interfacial native oxide on electrical properties of bonded GaAs wafers
Liu, P. C., Lu, C. L., Peng, W. C.,
Wu, Y.-C.
& Ouyang, H.,
5月 2005
,
p. 374-382
.
9 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Gallium Arsenide
100%
Electrical Properties
100%
Native Oxide
100%
GaAs Wafer
100%
Oxide Compound
100%
2004
Effects of nano-sized interface on the electrical resistances of the P-GaAs wafer bonding
Ouyang, H., Cheng, J. H. &
Wu, Y.-C.
,
2004
,
p. 60-64
.
5 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Gallium Arsenide
100%
Nanosize
100%
Wafer Bonding
100%
GaAs Wafer
100%
Electrical Resistance
100%
2003
AlGaInP light-emitting diodes with metal substrate fabricated by wafer bonding
Peng, W. C. &
Wu, Y.-C.
,
2003
,
p. 144-153
.
10 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Metal Substrate
100%
Light-emitting Diodes
100%
GaN-based LED
100%
AlGaInP
100%
Wafer Bonding
100%
Wafer bonding using indium tin oxide intermediate layer for high brightness leds
Liu, P. C., Hou, C. Y. &
Wu, Y.-C.
,
1 12月 2003
,
p. 175-183
.
9 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Wafer
100%
Indium Tin Oxide
100%
Bonding Process
100%
High Brightness
100%
Wafer Bonding
100%