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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
戴 亞翔
教授
光電工程學系
https://orcid.org/0000-0002-0048-0652
電話
03-5712121#31307
電子郵件
yhtai
nycu.edu
tw
h-index
h10-index
h5-index
2288
引文
24
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
259
引文
10
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
57
引文
4
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
1993 …
2025
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研究成果
(203)
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(6)
指紋
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排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
A-Si
11%
AC Stress
5%
Active Matrix
7%
Active Matrix Displays
5%
Active pixel
7%
Active-matrix Organic Light-emitting Diode (AMOLED)
12%
Amorphous InGaZnO (a-IGZO)
44%
Amorphous Silicon Thin-film Transistors
9%
Analog Buffer
8%
Capacitance
7%
Device Variations
5%
Drain Current
6%
Dual Gate
5%
Electrical Characteristics
10%
Gap-type
10%
Gate Voltage
9%
Hot Carrier Stress
7%
Hysteresis
5%
Low Temperature
5%
Low-temperature Polycrystalline Silicon
17%
LTPS TFT
26%
Multiple Nanowire
5%
Nanowire Channel
5%
Noise Behavior
6%
On-state Current
10%
Oxide Thin-film Transistors
29%
P-type
6%
Pixel Circuit
14%
Plasma Treatment
5%
Polycrystalline Silicon Thin-film Transistors (poly-Si TFTs)
39%
Polysilicon Thin Film
5%
Resistive Random Access Memory (ReRAM)
11%
Sensing Circuit
7%
Sol-gel
5%
Source Follower
6%
Stress Conditions
5%
Subthreshold Swing
8%
Temperature Effect
7%
Thin-film Transistors
53%
Threshold Voltage
15%
Threshold Voltage Compensation
9%
Threshold Voltage Shift
10%
Transistor
7%
X-ray Irradiation
6%
Zinc Oxide Thin Films
26%
Material Science
Amorphous Silicon
11%
Capacitance
11%
Dielectric Material
6%
Electrical Property
8%
Electronic Circuit
34%
Film
7%
Gallium
22%
Hot Carrier
8%
Indium
24%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
7%
Oxide Compound
12%
Oxygen Vacancy
5%
Silicon
35%
Sol-Gel
6%
Thin Films
10%
Thin-Film Transistor
100%
Zinc Oxide
24%
Engineering
Current Drain
5%
Electric Field
6%
Gate Bias
11%
Gate Voltage
10%
Integrated Circuit
5%
Liquid Crystal Display
5%
Low-Temperature
33%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
6%
Organic Light-Emitting Diode
9%
Polysilicon
51%
Response Time
6%
Simulation Result
7%
Thin Films
8%
Thin-Film Transistor
94%
Transients
5%
