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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
戴 亞翔
教授
光電工程學系
https://orcid.org/0000-0002-0048-0652
電話
03-5712121#31307
電子郵件
yhtai
nycu.edu
tw
h-index
h10-index
h5-index
2272
引文
24
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
250
引文
10
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
53
引文
4
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1993 …
2024
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重量
按字母排序
Keyphrases
Thin-film Transistors
53%
Amorphous InGaZnO (a-IGZO)
44%
Polycrystalline Silicon Thin-film Transistors (poly-Si TFTs)
38%
Oxide Thin-film Transistors
29%
LTPS TFT
26%
Zinc Oxide Thin Films
26%
Low-temperature Polycrystalline Silicon
17%
Threshold Voltage
15%
Pixel Circuit
14%
Active-matrix Organic Light-emitting Diode (AMOLED)
12%
A-Si
11%
Resistive Random Access Memory (ReRAM)
11%
Threshold Voltage Shift
10%
Electrical Characteristics
10%
Gap-type
10%
On-state Current
10%
Amorphous Silicon Thin-film Transistors
9%
Threshold Voltage Compensation
9%
Gate Voltage
8%
Subthreshold Swing
8%
Analog Buffer
8%
Sensing Circuit
7%
Active pixel
7%
Transistor
7%
Temperature Effect
7%
Hot Carrier Stress
7%
Active Matrix
7%
Capacitance
7%
X-ray Irradiation
6%
Noise Behavior
6%
Drain Current
6%
Source Follower
6%
Nanowire Channel
5%
Multiple Nanowire
5%
Hysteresis
5%
Dual Gate
5%
Sol-gel
5%
Low Temperature
5%
Plasma Treatment
5%
Device Variations
5%
Active Matrix Displays
5%
Polysilicon Thin Film
5%
Material Science
Thin-Film Transistor
100%
Silicon
35%
Electronic Circuit
32%
Indium
24%
Zinc Oxide
24%
Gallium
22%
Oxide Compound
12%
Amorphous Silicon
11%
Capacitance
11%
Electrical Property
8%
Hot Carrier
8%
Thin Films
8%
Film
7%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
7%
Dielectric Material
6%
Sol-Gel
6%
Oxygen Vacancy
5%
Engineering
Thin-Film Transistor
94%
Polysilicon
50%
Low-Temperature
33%
Gate Bias
11%
Organic Light-Emitting Diode
9%
Gate Voltage
9%
Simulation Result
7%
Electric Field
6%
Thin Films
6%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
6%
Transients
5%
Response Time
5%
Integrated Circuit
5%
Liquid Crystal Display
5%
Current Drain
5%