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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
李 威儀
教授
電子物理學系
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03-5712121#31773
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784
引文
14
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112
引文
6
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按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
9
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2
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57
Article
12
Patent
6
Conference article
4
Conference contribution
4
更多
3
Review article
1
Book
每年研究成果
每年研究成果
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Conference article
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2009
High-quality free-standing GaN thick-films prepared by hydride vapor phase epitaxy using stress reducing techniques
Huang, H. H.
,
Lee, W. I.
,
Chen, K. M.
,
Chu, T. L.
,
Wu, P. L.
,
Yu, H. W.
,
Liu, P. C.
,
Chao, C. L.
,
Chi, T. W.
,
Tsay, J. D.
&
Tu, L. W.
,
9 4月 2009
,
於:
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.
7231
, 723116.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
Vapor phase epitaxy
100%
Epitaxy
98%
Vapor Phase Epitaxy
89%
Hydrides
71%
Thick films
69%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
2008
Comparison between extended microtunnels along different crystal orientations in GaN
Wu, P. L.
,
Huang, H. H.
,
Zeng, H. Y.
,
Liu, P. C.
,
Lai, C. M.
,
Tsay, J. D.
&
Lee, W-I.
,
1 12月 2008
,
於:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics.
5
,
6
,
p. 1671-1674
4 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
tunnels
100%
crystals
83%
etching
48%
potassium hydroxides
31%
prisms
20%
Formation of nitride laser cavities with cleaved facets on transferred laser diodes on GaAs substrates
Yu, W. C.
,
Ye, S. M.
,
Hsiao, F. K.
,
Lee, C. L.
&
Lee, W-I.
,
1 12月 2008
,
於:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics.
5
,
6
,
p. 2139-2141
3 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
laser cavities
100%
nitrides
87%
flat surfaces
84%
semiconductor lasers
73%
cleavage
24%
2001
Influence of barrier growth temperature on the properties of InGaN/GaN quantum wells
Wen, T. C.
,
Lee, S. C.
&
Lee, W-I.
,
1 1月 2001
,
於:
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.
4278
,
p. 141-149
9 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
InGaN
100%
Quantum Well
76%
Growth temperature
73%
Semiconductor quantum wells
70%
Phase Separation
46%
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
2000
Observation of dislocation etch pits in epitaxial lateral overgrowth GaN by wet chemical etching
Wen, T. C.
,
Lee, S. C.
,
Chuang, H. S.
,
Chiou, C. H.
&
Lee, W-I.
,
11月 2000
,
於:
Materials Research Society Symposium - Proceedings.
639
,
p. G3.56.1-G3.56.6
6 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
Wet etching
100%
Etching
64%
Scanning electron microscopy
56%
etching
54%
Surface topography
43%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
1999
Study of a common deep level in GaN
Wen, T. C.
,
Lee, S. C.
,
Lee, W-I.
,
Guo, J. D.
&
Feng, M. S.
,
1 12月 1999
,
於:
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.
3899
,
p. 73-78
6 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
Vapor phase epitaxy
100%
Epitaxy
98%
Vapor Phase Epitaxy
89%
Capacitance measurement
82%
Capacitance
75%