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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
李 威儀
教授
國立陽明交通大學
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807
引文
15
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按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
116
引文
6
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按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
5
引文
1
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按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
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12
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6
Conference article
4
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5
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2
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每年研究成果
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Conference article
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2009
High-quality free-standing GaN thick-films prepared by hydride vapor phase epitaxy using stress reducing techniques
Huang, H. H.,
Lee, W. I.
, Chen, K. M., Chu, T. L., Wu, P. L.,
Yu, H. W.
, Liu, P. C., Chao, C. L., Chi, T. W., Tsay, J. D. & Tu, L. W.,
2009
,
於:
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.
7231
, 723116.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
Hydride Vapor Phase Epitaxy
100%
GaN Films
100%
Thick Film
100%
Free-standing GaN
100%
Reduced Methods
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
2008
Comparison between extended microtunnels along different crystal orientations in GaN
Wu, P. L., Huang, H. H., Zeng, H. Y., Liu, P. C., Lai, C. M., Tsay, J. D. &
Lee, W.-I.
,
1 12月 2008
,
於:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics.
5
,
6
,
p. 1671-1674
4 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
Crystal Orientation
100%
Microtunnel
100%
Activation Energy
100%
Thick Films
100%
Wet Etching
100%
Formation of nitride laser cavities with cleaved facets on transferred laser diodes on GaAs substrates
Yu, W. C., Ye, S. M., Hsiao, F. K., Lee, C. L. &
Lee, W.-I.
,
1 12月 2008
,
於:
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics.
5
,
6
,
p. 2139-2141
3 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
GaAs Substrate
100%
Diode Laser
100%
Nitride Laser
100%
Laser Cavity
100%
Cleaved Facets
100%
2001
Influence of barrier growth temperature on the properties of InGaN/GaN quantum wells
Wen, T. C., Lee, S. C. &
Lee, W.-I.
,
1 1月 2001
,
於:
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.
4278
,
p. 141-149
9 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
Indium Gallium Nitride (InGaN)
100%
InGaN Quantum Wells
100%
Growth Temperature
100%
Quantum Well
100%
Phase Separation
60%
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
2000
Observation of dislocation etch pits in epitaxial lateral overgrowth GaN by wet chemical etching
Wen, T. C., Lee, S. C., Chuang, H. S., Chiou, C. H. &
Lee, W.-I.
,
11月 2000
,
於:
Materials Research Society Symposium - Proceedings.
639
,
p. G3.56.1-G3.56.6
6 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
Epitaxial Lateral Overgrowth
100%
Dislocation
100%
Chemical Etching
100%
Etch pit
100%
Scanning Electron Microscopy
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
1999
Study of a common deep level in GaN
Wen, T. C., Lee, S. C.,
Lee, W.-I.
, Guo, J. D. & Feng, M. S.,
1999
,
於:
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering.
3899
,
p. 73-78
6 p.
研究成果
:
Conference article
›
同行評審
GaN Films
100%
Carrier Concentration
100%
Antisite
100%
Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)
100%
Capacitance Measurement
100%