按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
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Review article

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  • 2016

    3D resistive RAM cell design for high-density storage class memory—a review

    Hudec, B., Hsu, C. W., Wang, I. T., Lai, W. L., Chang, C. C., Wang, T., Fröhlich, K., Ho, C. H., Lin, C. H. & Hou, T-H., 1 6月 2016, 於: Science China Information Sciences. 59, 6, 21 p., 061403.

    研究成果: Review article同行評審

    40 引文 斯高帕斯(Scopus)
  • 2019

    Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices

    Lanza, M., Wong, H. S. P., Pop, E., Ielmini, D., Strukov, D., Regan, B. C., Larcher, L., Villena, M. A., Yang, J. J., Goux, L., Belmonte, A., Yang, Y., Puglisi, F. M., Kang, J., Magyari-Köpe, B., Yalon, E., Kenyon, A., Buckwell, M., Mehonic, A., Shluger, A., 及其他34Li, H., Hou, T-H., Hudec, B., Akinwande, D., Ge, R., Ambrogio, S., Roldan, J. B., Miranda, E., Suñe, J., Pey, K. L., Wu, X., Raghavan, N., Wu, E., Lu, W. D., Navarro, G., Zhang, W., Wu, H., Li, R., Holleitner, A., Wurstbauer, U., Lemme, M. C., Liu, M., Long, S., Liu, Q., Lv, H., Padovani, A., Pavan, P., Valov, I., Jing, X., Han, T., Zhu, K., Chen, S., Hui, F. & Shi, Y., 1 1月 2019, 於: Advanced Electronic Materials. 5, 1, 1800143.

    研究成果: Review article同行評審

    開啟存取
    290 引文 斯高帕斯(Scopus)
  • 2021

    Standards for the Characterization of Endurance in Resistive Switching Devices

    Lanza, M., Waser, R., Ielmini, D., Yang, J. J., Goux, L., Suñe, J., Kenyon, A. J., Mehonic, A., Spiga, S., Rana, V., Wiefels, S., Menzel, S., Valov, I., Villena, M. A., Miranda, E., Jing, X., Campabadal, F., Gonzalez, M. B., Aguirre, F., Palumbo, F., 及其他16Zhu, K., Roldan, J. B., Puglisi, F. M., Larcher, L., Hou, T. H., Prodromakis, T., Yang, Y., Huang, P., Wan, T., Chai, Y., Pey, K. L., Raghavan, N., Dueñas, S., Wang, T., Xia, Q. & Pazos, S., 23 11月 2021, 於: ACS Nano. 15, 11, p. 17214-17231 18 p.

    研究成果: Review article同行評審

    開啟存取
    19 引文 斯高帕斯(Scopus)