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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
趙 天生
教授
理學院碩士在職專班
https://orcid.org/0000-0001-9618-207X
電話
03-5131367
電子郵件
tschao
nycu.edu
tw
h-index
h10-index
h5-index
3630
引文
28
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
823
引文
18
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
292
引文
10
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1990 …
2024
每年研究成果
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計畫
(24)
研究成果
(366)
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類似的個人檔案
(6)
研究成果
每年研究成果
1990
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1997
1999
2000
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2013
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2022
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2024
265
Article
71
Conference contribution
15
Conference article
6
Paper
9
更多
3
Patent
2
Comment/debate
2
Review article
1
Chapter
1
Editorial
每年研究成果
每年研究成果
6結果
出版年份,標題
(降序)
出版年份,標題
(升序)
標題
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Paper
搜尋結果
2013
Microwave and RTA annealing of phos-doped, strained Si(100) and (110) implanted with molecular Carbon ions
Current, M. I., Lee, Y. J., Lu, Y. L., Cho, T. C.,
Chao, T.-S.
, Onoda, H., Sekar, K. & Tokoro, N.,
2013
,
p. 84-87
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Annealing
100%
Si(111)
100%
Strained Si
100%
Carbon Ions
100%
Carbon Ion
100%
2
引文 斯高帕斯(Scopus)
2006
Novel FD SOI devices structure for low standby power applications
Ma, M. W.,
Chao, T.-S.
, Kao, K. H., Huang, J. S. & Lei, T. F.,
5月 2006
,
p. 59-62
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Drive Current
100%
Device Structure
100%
Drain Extension
100%
Power Applications
100%
FDSOI
100%
2001
High quality interpoly dielectrics deposited on the nitrided-polysilicon for nonvolatile memory devices
Chao, T.-S.
, Wen Luh Yang, L. Y., Cheng, C. M., Tung Ming Pan, M. P. & Tan Fu Lei, F. L.,
2001
,
p. 142-145
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Polysilicon
100%
Nitrides
100%
Interpoly Dielectrics
100%
Non-volatile Memory
100%
Polyoxides
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
2000
Plasma process induced damage in sputtered TiN metal gate capacitors with ultra-thin nitrided oxide
Chen, C. C.,
Lin, H.-C.
, Chang, C. Y.,
Chao, T.-S.
, Huang, S. C., Wu, W. F., Huang, T. Y. & Liang, M. S.,
2000
,
p. 117-120
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Capacitors
100%
Ultrathin
100%
Plasma-induced Damage
100%
Nitrided Oxide
100%
TiN Gate
100%
6
引文 斯高帕斯(Scopus)
1997
Combination effects of nitrogen implantation at S/D extension and N
2
O oxide on 0.18 μm n- and p-MOSFETs
Chao, T.-S.
,
Chien, C.-H.
, Chiao, S. K.,
Lin, H.-C.
, Liaw, M. C., Chen, L. P., Huang, T. Y., Lei, T. F. & Chang, C. Y.,
1997
,
p. 316-320
.
5 p.
研究成果
›
同行評審
NMOSFET
100%
PMOSFET
100%
Oxides
100%
Nitrogen Ion Implantation
100%
Nitrogen Effect
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
1995
Process optimization for preventing boron-penetration using P or as co-implant in p-poly gate of P-MOSFETs
Sun, W. T., Chen, S. H., Lin, C. J.,
Chao, T.-S.
& Hsu, C. C. H.,
1995
,
p. 40-43
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
PMOSFET
100%
Process Optimization
100%
Boron
100%
Poly Gate
100%
Co-implant
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)