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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
趙 天生
教授
理學院碩士在職專班
https://orcid.org/0000-0001-9618-207X
電話
03-5131367
電子郵件
tschao
nycu.edu
tw
h-index
h10-index
h5-index
3165
引文
26
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
670
引文
16
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
207
引文
8
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1990 …
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排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Polysilicon
100%
Oxides
52%
Thin film transistors
37%
Field effect transistors
32%
Gate dielectrics
32%
Annealing
28%
Plasmas
19%
Nanowires
19%
Leakage currents
19%
MOSFET devices
18%
Temperature
18%
Threshold voltage
17%
Metals
16%
Nitrogen
15%
Data storage equipment
15%
Nitridation
15%
Silicon
14%
Hot carriers
13%
Rapid thermal annealing
13%
Fluorine
13%
Doping (additives)
13%
Nitrides
12%
Ferroelectric materials
12%
Boron
12%
Ions
11%
Nanocrystals
11%
Microwaves
10%
Flash memory
10%
Substrates
10%
FinFET
10%
Transistors
10%
Fabrication
10%
Electric potential
9%
Silicon oxides
9%
Capacitance
9%
Interface states
8%
Oxide semiconductors
8%
Ellipsometry
8%
Cleaning
8%
Degradation
7%
Crystallization
7%
Passivation
7%
Electric properties
7%
Nanosheets
7%
Lithography
7%
Charge trapping
7%
Etching
6%
Durability
6%
Capacitors
6%
Negative bias temperature instability
6%
Chemical Compounds
Voltage
22%
Oxide
22%
Field Effect
21%
Dielectric Material
20%
Annealing
17%
Leakage Current
16%
Liquid Film
12%
Nanowire
12%
Polycrystalline Solid
9%
Compound Mobility
9%
Plasma
8%
Capacitor
8%
Application
8%
Microwave
7%
Rapid Thermal Annealing
7%
Etching
6%
Transconductance
6%
Nitride
6%
Tunneling
5%
Chemical Passivation
5%
Polishing
5%
Fluorine Atom
5%
Interface State
5%
Metal Oxide
5%
Nitrogen
5%
Physics & Astronomy
field effect transistors
20%
oxides
15%
metal oxide semiconductors
13%
transistors
9%
silicon
8%
performance
6%
leakage
6%
nitrogen
6%
threshold voltage
6%
fluorine
6%
CMOS
5%
annealing
5%
boron
5%