每年專案
個人檔案
研究專長
半導體元件物理、深次微米前段元件製程、奈米元件製作、薄膜電晶體、超薄絕緣層製備、半導體晶圓潔淨技術
經歷
1992/7-2001/8 國科會國家毫微米元件實驗室副研究員、研究員
1997-2001 國立清華大學工程與系統科學學系兼任副、合聘教授
2001/8-2002/1 國立交通大學電子物理副教授
2002/-2004 國家奈米元件實驗室副主任
2002/2- 迄今 國立交通大學電子物理教授
2009-2011 國立交通大學電子物理系主任
教育/學術資格
PhD, 電子工程, 國立陽明交通大學
外部位置
指紋
- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
專案
- 24 已完成
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利用堆疊型閘極全環繞技術結合鉿基鐵電材料開發應用於以人工神經網路為基礎之邊緣運算低功耗元件
Chao, T.-S. (PI)
1/08/22 → 31/07/23
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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利用堆疊型閘極全環繞技術結合鉿基鐵電材料開發應用於以人工神經網路為基礎之邊緣運算低功耗元件
Chao, T.-S. (PI)
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大專校院推動創新創業教育計畫-大專校院創業實戰模擬學習平臺
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10/05/21 → 9/07/21
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12/03/21 → 31/12/22
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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In Situ O2 Plasma-Treated HfO2-ZrO2 Superlattice HZO FeRAMs Exhibiting Enhanced Remnant Polarization and Improved Endurance Performance
Hsieh, D. R., Hong, Z. Y., Yeh, W. J., Ni, J. C., Luo, H. E., Liang, Y. K., Lin, C. H. & Chao, T. S., 2025, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 72, 1, p. 259-265 7 p.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯(Scopus) -
Antiferroelectric Hf0.25Zr0.75O2With Ferroelectric Properties and Low Voltage Operation of AFeRAM and AFeFET by Using Low-Temperature Atomic Layer Deposition
Lin, K. T., Lo, C., Chang, S. C., Tsai, H. T. & Chao, T. S., 1 2月 2024, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 2, p. 1072-1077 6 p.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯(Scopus) -
Highly Scaled BEOL-Compatible Thin Film Transistors With Ultrathin Atomic Layer Deposited Indium-Tin-Zinc-Oxide Channel
Liang, Y. K., Zheng, J. Y., Lin, Y. L., Lu, Y. C., Hsieh, D. R., Chou, T. T., Kei, C. C., Huang, H. Y., Lin, Y. M., Tseng, Y. C., Chao, T. S., Chang, E. Y., Toprasertpong, K., Takagi, S. & Lin, C. H., 1 6月 2024, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 6, p. 3671-3677 7 p.研究成果: Article › 同行評審
3 引文 斯高帕斯(Scopus) -
Improved Stability of BEOL-Compatible Highly Scaled Ultrathin InZnO Channel Ferroelectric Thin-Film Transistor with TiO Interfacial Layer
Liang, Y. K., Li, W. L., Lin, Y. L., Hsieh, D. R., Yang, T. Y., Chou, T. T., Kei, C. C., Huang, H. Y., Lin, Y. M., Tseng, Y. C., Chao, T. S., Chang, E. Y., Toprasertpong, K., Takagi, S. & Lin, C. H., 2024, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 9, p. 5788-5791 4 p.研究成果: Article › 同行評審
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Investigation of HfO2 and ZrO2 Nanolamination Thickness on Superlattice HZO FeRAMs Exhibiting Enhanced Remnant Polarization and Improved Endurance
Hsieh, D. R., Hong, Z. Y., Yeh, W. J., Ni, J. C., Luo, H. E., Liang, Y. K., Hsieh, S. L., Chen, K. L. & Chao, T. S., 2024, 2024 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2024. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 31-32 2 p. (2024 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2024).研究成果: Conference contribution › 同行評審