每年研究成果
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2018
Mode-switching phenomena in periodic InGaN-based hexagon microcavity array
Huang, C.-Y., Dai, T. Y., Lin, J. J., Chang, T. C., Liu, C. Y., Hong, K. B., Lu, T.-C. & Kuo, H.-C., 13 5月 2018.研究成果: Paper › 同行評審
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2017
Monolithic GaN-InGaN core-shell lasers in submicron scale
Huang, C.-Y., Lin, J. J., Chang, T. C., Liu, C. Y., Dai, T. Y., Hong, K. B., Lu, T.-C. & Kuo, H.-C., 14 5月 2017, p. 1-2. 2 p.研究成果: Paper › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
2002
Realization of real index-guided inGaAlP red lasers with buried tunnel junctions
Lu, T.-C., Wang, S. C. & Shieh, H. M., 5月 2002, p. 546-547. 2 p.研究成果: Paper › 同行評審
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2001
Monolithically integrated 650 nm and 780 nm semiconductor lasers with aluminum-free active areas
Lu, T.-C., Wang, S. C., Fu, R., Shieh, H. M. & Huang, K. J., 2001, p. 482-483. 2 p.研究成果: Paper › 同行評審
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Monolithically Integrated 650 nm and 780 nm semiconductor lasers with aluminum-free active areas
Lu, T. C., Wang, S. C., Fu, R., Shieh, H. M. & Huang, K. J., 2001.研究成果: Paper › 同行評審