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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
吳 添立
副教授
電子研究所
智慧半導體奈米系統技術研究中心
https://orcid.org/0000-0001-6788-5470
h-index
h10-index
h5-index
2042
引文
23
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1692
引文
20
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
571
引文
13
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
2009
2025
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79
Article
45
Conference contribution
3
Paper
1
Review article
每年研究成果
每年研究成果
3結果
出版年份,標題
(降序)
出版年份,標題
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標題
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篩選
Paper
搜尋結果
2022
Demonstration of 64 Conductance States and Large Dynamic Range in Si-doped HfO2 FeFETs under Neuromorphic Computing Operations
Wang, Y. Y., Wang, K.-C., Wu, C. H., Chang, T. Y., Ronchi, N., Banerjee, K., Bosch, G. V. D., Houdt, J. V. &
Wu, T.-L.
,
4月 2022
.
2 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
State Dynamics
100%
Neuromorphic Computing
100%
Ferroelectric Field-effect Transistor (FeFET)
100%
Large Dynamic Range
100%
Conductance States
100%
4
引文 斯高帕斯(Scopus)
2021
Enhancement of Ferroelectricity in 5-nm HZO Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Technologies by Using Strained TiN Electrode
Wu, C. H., Wang, K. C., Wang, Y. Y.,
Wu, T.-L.
,
Su, C.-J.
, Lee, Y. J. & Hu, C.,
9月 2021
.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Semiconductor Technology
100%
Hf0.5Zr0.5O2
100%
Metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor (MFMIS)
100%
Tin Electrodes
100%
Ferroelectric Material
100%
2020
Probing the Evolution of Electrically Active Defects in Doped Ferroelectric HfO2 during Wake-Up and Fatigue
Celano, U., Chen, Y. H., Minj, A., Banerjee, K., Ronchi, N., McMitchell, S., Marcke, P. V., Favia, P.,
Wu, T.-L.
, Kaczer, B., Bosch, G. V. D., Houdt, J. V. & Heide, P. V. D.,
6月 2020
.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Wake-up
100%
Ferroelectric HfO2
100%
Electrically Active Defects
100%
Device Performance
100%
Electrical Device
100%
6
引文 斯高帕斯(Scopus)