每年專案
個人檔案
研究專長
氮化鎵及碳化矽功率半導體
5nm以下半導體材料及元件設計
可靠度評估及失效機制分析
人工智慧於半導體元件設計及可靠度評估
經歷
2011/6 ~ 2016/7 比利時imec博士研究員
2016/1 ~ 2016/3 美國IBM訪問學者
2016/8 ~ 2017/1 比利時imec研究科學家
2017/2 ~ 2021/07 國立交通大學國際半導體產業學院助理教授
2021/8 ~ present 國立陽明交通大學國際半導體產業學院副教授
2022/8 ~ present 國立陽明交通大學國際半導體產業學院副院長
2021/8 ~ present 國立陽明交通大學國際半導體產業學院副教授
2021/08~ 國立交通大學國際半導體產業學院副教授
教育/學術資格
PhD, 電子工程, KU Leuven
外部位置
指紋
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- 1 類似的個人檔案
網路
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專案
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Electrical performance study of Schottky barrier diodes using ion implanted β-Ga2O3 epilayers grown on sapphire substrates
Sood, A., Wuu, D. S., Tarntair, F. G., Sao, N. T., Wu, T. L., Tumilty, N., Kuo, H. C., Pratap, S. J. & Horng, R. H., 3月 2023, 於: Materials Today Advances. 17, 100346.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
Using Gate Leakage Conduction to Understand Positive Gate Bias Induced Threshold Voltage Shift in p-GaN Gate HEMTs
Tang, S. W., Bakeroot, B., Huang, Z. H., Chen, S. C., Lin, W. S., Lo, T. C., Borga, M., Wellekens, D., Posthuma, N., Decoutere, S. & Wu, T. L., 1 2月 2023, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 70, 2, p. 449-453 5 p.研究成果: Article › 同行評審
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Capacitance-Dependent VTH Instability Under a High dVg/dt Event in p-GaN Power HEMTs
Tang, S. W., Lin, W. S., Huang, Z. H. & Wu, T. L., 1 10月 2022, 於: Ieee Electron Device Letters. 43, 10, p. 1617-1620 4 p.研究成果: Article › 同行評審
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Comprehensive Investigation of the Switching Stability in SiC and GaN Power Devices
Tang, S. W., Fan, C. T., Lin, M. C. & Wu, T. L., 2022, 2022 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA; 卷 2022-July).研究成果: Conference contribution › 同行評審
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Comprehensive Investigations of HBM ESD Robustness for GaN-on-Si RF HEMTs
Abhinay, S., Wu, W. M., Shih, C. A., Chen, S. H., Sibaja-Hernandez, A., Parvais, B., Peralagu, U., Alian, A., Wu, T-L., Ker, M. D., Groeseneken, G. & Collaert, N., 2022, 2022 International Electron Devices Meeting, IEDM 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 3071-3074 4 p. (Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM; 卷 2022-December).研究成果: Conference contribution › 同行評審