每年專案
個人檔案
研究專長
氮化鎵及碳化矽功率半導體
5nm以下半導體材料及元件設計
可靠度評估及失效機制分析
人工智慧於半導體元件設計及可靠度評估
經歷
2024.08 – present 國立陽明交通大學電子研究所副教授
2024.08 – present 國立陽明交通大學電機工程學系副教授
2023.08 – present Editor, Scientific Reports (Nature Journal)
2023.01 – present IEEE EDS Technical Committees on Compound Semiconductor Devices & Circuits
2023.01 – present IEEE EDS Technical Committees on Compact Modeling
2023.01 – present 工業技術研究院電光系統所特聘研究員
2022.08 – present 國立陽明交通大學奈米科學及工程學士班合聘教授
2022.02 – present 國立陽明交通大學產業創新研究學院合聘教授
2021.10 – present 科技部”次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫”專案執行長
2021.11 – present 台灣靜電放電防護工程學會理事
2021.08 – present 國立陽明交通大學國際半導體產業學院副教授
2019.09 – present 交大國際高等教育認證中心種子教師
2017.08 – present 聯發科技青年講座教授
2022.08 – 2023.02 國立陽明交通大學國際半導體產業學院副院長
2021.02 – 2021.07 國立陽明交通大學國際半導體產業學院助理教授
2017.02 – 2021.01 國立交通大學國際半導體產業學院助理教授
2016.08 – 2017.01 比利時微電子研究中心imec 研究科學家
2011.09 – 2016.07 比利時微電子研究中心imec 博士研究員
2016.01 – 2016.03 美國IBM訪問學者
2014.01 – 2016.08 駐歐盟兼駐比利時代表處科技部國合科技簡訊網編輯
2012.08 – 2014.07 比利時魯汶大學台灣學生會會長及監事
教育/學術資格
PhD, 電子工程, KU Leuven
外部位置
指紋
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- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
專案
- 7 已完成
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下世代高可靠度氮化鎵電子元件:矽製程兼容超越1000V氮化鎵功率元件開發、應用於太空惡劣環境氮化鎵功率元件探索及整合機器學習加速元件特性及可靠度優化(4/5)
Wu, T.-L. (PI)
1/02/22 → 31/01/23
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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Wu, T.-L. (PI)
1/02/21 → 31/01/22
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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下世代高可靠度氮化鎵電子元件:矽製程兼容超越1000V氮化鎵功率元件開發、應用於太空惡劣環境氮化鎵功率元件探索及整合機器學習加速元件特性及可靠度優化(2/5)
Wu, T.-L. (PI)
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研究計畫: Other Government Ministry Institute
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下世代高可靠度氮化鎵電子元件:矽製程兼容超越1000V氮化鎵功率元件開發、應用於太空惡劣環境氮化鎵功率元件探索及整合機器學習加速元件特性及可靠度優化(1/5)
Wu, T.-L. (PI)
1/02/19 → 31/01/20
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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A Self-Consistent Approach Based on Bayesian Deconvolution for Trapping Time Constant Analysis: A Demonstration to Analyze ΔVTHTransients in p-GaN Gate Power HEMTs
Singh, S. K., Wu, T. L. & Chauhan, Y. S., 1 3月 2024, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 3, p. 1820-1826 7 p.研究成果: Article › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Dynamic On-Resistance and Threshold Voltage Instability Evaluation Circuit for Power GaN HEMTs Devices
Kumar, R. & Wu, T. L., 1 9月 2024, 於: IEEE Transactions on Industrial Electronics. 71, 9, p. 11706-11709 4 p.研究成果: Article › 同行評審
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Gate Leakage Current Analysis using Bayesian Deconvolution for Accurate Electron/Hole Trapping Characterizations in 4H-SiC MOSFETs
Singh, S. K., Wu, T. L. & Chauhan, Y. S., 2024, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024).研究成果: Conference contribution › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Heteroepitaxially grown homojunction gallium oxide PN diodes using ion implantation technologies
Huang, C. Y., Tsai, X. Y., Tarntair, F. G., Langpoklakpam, C., Ngo, T. S., Wang, P. J., Kao, Y. C., Hsiao, Y. K., Tumilty, N., Kuo, H. C., Wu, T. L., Hsiao, C. L. & Horng, R. H., 6月 2024, 於: Materials Today Advances. 22, 100499.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Investigation of DC Characteristics in GaN-on-Si power MIS-HEMTs over a Wide Temperature Range (4 K to 550 K) for Space and Quantum Computing Applications
Johari, A., Tsai, M. C., Thang, T. N. M., Yang, Y., Wu, T. L., Gupta, A. & Singh, R., 2024, IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference: Strengthening the Globalization in Semiconductors, EDTM 2024).研究成果: Conference contribution › 同行評審