每年專案
個人檔案
研究專長
半導體元件可靠性、快閃式記憶元件、高速元件與電路
經歷
1987/08 國立交通大學電子工程學系電子研究所教授
教育/學術資格
PhD, University of Illinois at Urbana-Champaign
外部位置
指紋
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研究計畫: Ministry of Science and Technology
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An Analytical Model of Read-Disturb Failure Time in a Post-Cycling Resistive Switching Memory
Jiang, C. M., Wang, C. C., Li, K. S., Lin, C. C. & Wang, T., 2021, (Accepted/In press) 於: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability.研究成果: Article › 同行評審
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Investigation of Vth Distribution Tails of Ground-Select-Line Cells and Edge Dummy Cells in a 3-D NAND Flash Memory
Chou, Y. L., Wang, T., Cheng, C. C., Lu, C. C., Wu, G. W., Ku, S. H., Chang, W., Tsai, W. J., Lu, T. C., Chen, K. C. & Lu, C. Y., 5月 2021, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 68, 5, p. 2260 - 2264 5 p.研究成果: Article › 同行評審
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Su, P. C., Jiang, C. M., Chen, Y. J., Wang, C. C., Li, K. S., Lin, C. C. & Wang, T., 1月 2020, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 67, 1, p. 113-117 5 p., 8935500.研究成果: Article › 同行評審
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Chiang, H. L., Chen, T. C., Song, M. Y., Chen, Y. S., Chiu, J. P., Chiang, K., Manfrini, M., Cai, J., Gallagher, W. J., Wang, T., Diaz, C. H. & Wong, H. S. P., 8月 2020, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 67, 8, p. 3102-3108 7 p., 9139332.研究成果: Article › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Analysis and Realization of TLC or even QLC Operation with a High Performance Multi-times Verify Scheme in 3D NAND Flash memory
Lu, C. C., Cheng, C. C., Chiu, H. P., Lin, W. L., Chen, T. W., Ku, S. H., Tsai, W. J., Lu, T. C., Chen, K. C., Wang, T-H. & Lu, C. Y., 16 1月 2019, 2018 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 2.2.1-2.2.4 8614548. (Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM; 卷 2018-December).研究成果: Conference contribution › 同行評審
3 引文 斯高帕斯（Scopus）