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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
洪 瑞華
教授
電子研究所
https://orcid.org/0000-0002-1160-6775
h-index
h10-index
h5-index
7725
引文
46
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
2449
引文
26
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1156
引文
16
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1988 …
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Article
68
Conference contribution
10
Conference article
9
Chapter
20
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6
Review article
5
Patent
3
Paper
3
Comment/debate
3
Editorial
每年研究成果
每年研究成果
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Article
搜尋結果
1992
Metalorganic chemical vapor deposition growth of Ga
0.5
In
0.5
P ordered alloys by phosphine modulation
Lee, M. K.,
Horng, R.-H.
& Haung, L. C.,
1 11月 1992
,
於:
Journal of Crystal Growth.
124
,
1-4
,
p. 358-362
5 p.
研究成果
:
Article
›
同行評審
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
100%
Surface Morphology
100%
Phosphine
100%
Chemical Vapor Deposition Growth
100%
Ordered Alloys
100%
8
引文 斯高帕斯(Scopus)
Ordering effect on the performance of Ga
0.5
In
0.5
P visible light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
Horng, R.-H.
& Lee, M. K.,
1 12月 1992
,
於:
Journal of Applied Physics.
71
,
3
,
p. 1513-1516
4 p.
研究成果
:
Article
›
同行評審
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
100%
Light-emitting Diodes
100%
Visible Light
100%
Order Effects
100%
Ordered Structure
100%
12
引文 斯高帕斯(Scopus)
1991
Improvements in the heteroepitaxy of GaAs on Si by incorporating a ZnSe buffer layer
Lee, M. K.,
Horng, R.-H.
, Wuu, D. S. & Chen, P. C.,
1991
,
於:
Applied Physics Letters.
59
,
2
,
p. 207-209
3 p.
研究成果
:
Article
›
同行評審
Gallium Arsenide
100%
Heteroepitaxy
100%
ZnSe Buffer Layer
100%
GaAs on Si
100%
Buffer Layer
100%
12
引文 斯高帕斯(Scopus)
Ordering effects on the electrical characteristics of Ga
0.5
In
0.5
P grown by metalorganic chemical vapor deposition
Lee, M. K.,
Horng, R.-H.
& Haung, L. C.,
1991
,
於:
Applied Physics Letters.
59
,
25
,
p. 3261-3263
3 p.
研究成果
:
Article
›
同行評審
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
100%
Electrical Characteristics
100%
Order Effects
100%
Ordered Structure
100%
Film
100%
23
引文 斯高帕斯(Scopus)
1990
Characteristics of Ga
0.51
In
0.49
P/GaAs heterostructures grown on Si substrates by organometallic epitaxy
Horng, R.-H.
, Wuu, D. S., Huang, K. C. & Lee, M. K.,
1990
,
於:
Journal of Applied Physics.
67
,
2
,
p. 753-756
4 p.
研究成果
:
Article
›
同行評審
Epitaxy
100%
Si Substrate
100%
Gallium Arsenide
100%
GaAs Heterostructures
100%
Gaas Heterostructures
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
Indium phosphide on silicon heteroepitaxy: Lattice deformation and strain relaxation
Wuu, D. S.,
Horng, R.-H.
& Lee, M. K.,
1990
,
於:
Journal of Applied Physics.
68
,
7
,
p. 3338-3342
5 p.
研究成果
:
Article
›
同行評審
Photoluminescence
100%
Strain Relaxation
100%
Heteroepitaxy
100%
Indium Phosphide
100%
Lattice Deformation
100%
19
引文 斯高帕斯(Scopus)
1989
Improvements in the organometallic heteroepitaxy of indium phosphide directly on silicon
Wuu, D. S.,
Horng, R.-H.
, Huang, K. C. & Lee, M. K.,
1989
,
於:
Applied Physics Letters.
54
,
3
,
p. 236-238
3 p.
研究成果
:
Article
›
同行評審
Epilayer
100%
Heteroepitaxy
100%
Indium Phosphide
100%
Film
100%
Silicon
100%
14
引文 斯高帕斯(Scopus)
Material properties of InP-on-Si grown by low-pressure organometallic vapor-phase epitaxy
Wuu, D. S., Tung, H. H.,
Horng, R.-H.
& Lee, M. K.,
1989
,
於:
Journal of Applied Physics.
65
,
3
,
p. 1213-1216
4 p.
研究成果
:
Article
›
同行評審
Low Pressure
100%
Material Properties
100%
Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)
100%
InP-on-Si
100%
Vapor Phase Epitaxy
100%
10
引文 斯高帕斯(Scopus)
Strain variations in heteroepitaxial InP-on-Si grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
Wuu, D. S.,
Horng, R.-H.
& Lee, M. K.,
1989
,
於:
Applied Physics Letters.
54
,
22
,
p. 2244-2246
3 p.
研究成果
:
Article
›
同行評審
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
100%
Low Pressure
100%
Heteroepitaxial Structures
100%
InP-on-Si
100%
Strain Variation
100%
10
引文 斯高帕斯(Scopus)
1988
Heteroepitaxial growth of Ga
0.51
In
0.49
P/GaAs on Si by low-pressure organometallic chemical vapor deposition
Horng, R.-H.
, Wuu, D. S. & Lee, M. K.,
1988
,
於:
Applied Physics Letters.
53
,
26
,
p. 2614-2616
3 p.
研究成果
:
Article
›
同行評審
Chemical Vapor Deposition
100%
Low Pressure
100%
Heteroepitaxial Growth
100%
GaAs on Si
100%
Gallium Arsenide
100%
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
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