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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
劉 柏村
教授
光電工程學系
https://orcid.org/0000-0001-8560-3668
電話
03-5712121#52994
電子郵件
ptliu
nycu.edu
tw
網站
http://www.ieo.nctu.edu.tw/addtspl/News.html
h-index
h10-index
h5-index
4939
引文
37
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1224
引文
21
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
427
引文
13
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
1996 …
2023
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指紋
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計畫
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(392)
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(9)
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指紋
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排序方式
重量
按字母排序
Engineering & Materials Science
Thin film transistors
100%
Indium
29%
Polysilicon
25%
Oxide films
25%
Zinc oxide
23%
Threshold voltage
19%
Plasmas
17%
Passivation
17%
Amorphous silicon
16%
Data storage equipment
15%
Annealing
15%
Tungsten
14%
Liquid crystal displays
13%
Oxides
13%
Leakage currents
12%
Permittivity
12%
Metals
10%
Oxygen
9%
Supercritical fluids
9%
Electric potential
9%
Temperature
8%
Nanocrystals
8%
Hydrogen
8%
Gallium
8%
Organic light emitting diodes (OLED)
8%
Tin oxides
8%
Amorphous films
8%
Oxygen vacancies
7%
Gate dielectrics
7%
Display devices
7%
Photoresists
7%
Networks (circuits)
7%
Fluorine
6%
Thin films
6%
Transistors
6%
Degradation
6%
Metallizing
5%
Pixels
5%
Nanowires
5%
Crystallization
5%
Oxide semiconductors
5%
Nitrides
5%
Amorphous semiconductors
5%
Sputtering
5%
Copper
5%
Glass
5%
Doping (additives)
5%
Electrons
5%
Chemical Compounds
Voltage
18%
Amorphous Material
16%
Liquid Film
14%
Dielectric Material
13%
Leakage Current
12%
Compound Mobility
11%
Chemical Passivation
10%
Amorphous Silicon
10%
Oxide
9%
Annealing
9%
Application
9%
Silsesquioxane
8%
Polycrystalline Solid
8%
Plasma
8%
Field Effect
7%
Dielectric Constant
6%
Dioxygen
6%
Supercritical Fluid
6%
Zinc Oxide
6%
Capacitor
5%
Semiconductor
5%
Physics & Astronomy
transistors
36%
thin films
26%
leakage
10%
silicon
9%
nanocrystals
9%
zinc oxides
8%
indium oxides
7%
threshold voltage
7%
oxides
7%
nitrides
6%
performance
6%
passivity
6%
random access memory
6%
oxygen
6%
permittivity
5%
electric potential
5%