每年專案
個人檔案
研究專長
矽奈米電子、半導體元件物理、元件模型及設計
經歷
2003/08~迄今 國立交通大學電子工程學系/電子研究所教授
教育/學術資格
PhD, 電機工程, University of California, Berkeley
外部位置
指紋
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次奈米節點鐵電電晶體關鍵技術:鐵電反鐵電材料與物理,低能耗邏輯與記憶體元件及其高效能運算(2/2)
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A Tall Gate Stem GaN HEMT with Improved Power Density and Efficiency at Ka-Band
Lee, P. H., Lin, Y. C., Hsu, H. T., Tsao, Y. F., Dee, C. F., Su, P. & Chang, E. Y., 2023, (Accepted/In press) 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. p. 1 1 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
An Alternative Way for Reconfigurable Logic-in-Memory with Ferroelectric FET
You, W. X., Huang, B. K. & Su, P., 1 1月 2022, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 69, 1, p. 444-446 3 p.研究成果: Article › 同行評審
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Comparison of 2-D MoS2and Si Ferroelectric FET Nonvolatile Memories Considering the Trapped-Charge-Induced Variability
Liu, Y. S. & Su, P., 1 5月 2022, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 69, 5, p. 2738-2740 3 p.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯(Scopus) -
Design Space Exploration for Scaled FeFET Nonvolatile Memories: High-k Spacer as a Powerful Aid
Liu, Y. S., Huang, Y. Y. & Su, P., 2022, 6th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 70-72 3 p. (6th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2022).研究成果: Conference contribution › 同行評審
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Improving the Scalability of Ferroelectric FET Nonvolatile Memories With High-k Spacers
Liu, Y. S. & Su, P., 2022, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 10, p. 346-350 5 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取1 引文 斯高帕斯(Scopus)