每年專案
個人檔案
研究專長
CVD growth of diamond and carbon related materials
Wide bandgap semiconductor devices
Optoelectronics
Radiation detectors
Photocathodes
Negative electron affinity surfaces
CPT atomic clocks
教育/學術資格
PhD, 電子, University College London
指紋
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- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
專案
- 3 已完成
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Comparison of performance in GaN-HEMTs on thin SiC substrate and sapphire substrates
Chuang, T. P., Tumilty, N., Yu, C. H. & Horng, R. H., 8月 2024, 於: Chinese Journal of Physics. 90, p. 1117-1124 8 p.研究成果: Article › 同行評審
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Heteroepitaxially grown homojunction gallium oxide PN diodes using ion implantation technologies
Huang, C. Y., Tsai, X. Y., Tarntair, F. G., Langpoklakpam, C., Ngo, T. S., Wang, P. J., Kao, Y. C., Hsiao, Y. K., Tumilty, N., Kuo, H. C., Wu, T. L., Hsiao, C. L. & Horng, R. H., 6月 2024, 於: Materials Today Advances. 22, 100499.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
Material Properties of n-Type β-Ga2O3 Epilayers with In Situ Doping Grown on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Tarntair, F. G., Huang, C. Y., Rana, S., Lin, K. L., Hsu, S. H., Kao, Y. C., Pratap, S. J., Chen, Y. C., Tumilty, N., Liu, P. L. & Horng, R. H., 2024, (Accepted/In press) 於: Advanced Electronic Materials.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取4 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Thermal stability, work function and Fermi level analysis of 2D multi-layered hexagonal boron nitride films
Marye, S. A., Kumar, R. R., Useinov, A. & Tumilty, N., 1 1月 2024, 於: Microelectronic Engineering. 283, 112106.研究成果: Article › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Undoped β‑Ga2O3 Layer Thickness Effect on the Performance of MOSFETs Grown on a Sapphire Substrate
Lu, C. H., Tarntair, F. G., Kao, Y. C., Tumilty, N. & Horng, R. H., 23 1月 2024, 於: ACS Applied Electronic Materials. 6, 1, p. 568-575 8 p.研究成果: Article › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus）