每年研究成果
每年研究成果
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1995
Complementary-SCR ESD Protection Circuit with Interdigitated Finger-Type Layout for Input Pads of Submicron CMOS IC's
Ker, M-D. & Wu, C-Y., 1 1月 1995, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 42, 7, p. 1297-1304 8 p.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Modeling the Positive-Feedback Regenerative Process of CMOS Latchup by a Positive Transient Pole Method—Part I: Theoretical Derivation
Ker, M-D. & Wu, C-Y., 1 1月 1995, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 42, 6, p. 1141-1148 8 p.研究成果: Article › 同行評審
36 引文 斯高帕斯（Scopus） -
1994
CMOS on-chip electrostatic discharge protection circuit using four-SCR structures with low ESD-trigger voltage
Ker, M-D. & Wu, C-Y., 1 1月 1994, 於: Solid State Electronics. 37, 1, p. 17-26 10 p.研究成果: Article › 同行評審
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Transient analysis of submicron CMOS latchup with a physical criterion
Ker, M-D. & Wu, C-Y., 1 1月 1994, 於: Solid State Electronics. 37, 2, p. 255-273 19 p.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
1992
A New On-Chip ESD Protection Circuit with Dual Parasitic SCR Structures for CMOS VLSI
Wu, C-Y., Ker, M-D., Lee, C. Y. & Ko, J., 1 1月 1992, 於: IEEE Journal of Solid-State Circuits. 27, 3, p. 274-280 7 p.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus）