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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
柯 明道
教授
半導體工程學系
神經調控醫療電子系統研究中心
https://orcid.org/0000-0003-3622-181X
h-index
h10-index
h5-index
7709
引文
39
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
1280
引文
19
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
320
引文
8
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
1991 …
2025
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排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
65nm CMOS
13%
Area-efficient
6%
Charged Device Model
5%
Clamp Circuit
20%
CMOS IC
20%
CMOS Integrated Circuits
13%
CMOS Process
66%
CMOS Technology
27%
Deep Submicron Technology
6%
Diode
9%
Electrostatic Discharge
70%
Electrostatic Discharge (ESD) Protection
64%
Electrostatic Discharge Test
7%
ESD Protection
21%
ESD Protection Design
14%
ESD Protection Device
14%
ESD Robustness
18%
Gate Oxide Reliability
8%
Guard Ring
5%
High Voltage Tolerant
7%
Holding Voltage
9%
Human Body Model
11%
Input-output
7%
Integrated Circuits
7%
Latch-up
37%
Layout Area
9%
Low Power CMOS
15%
Low Voltage
11%
Low-temperature Polycrystalline Silicon
8%
Mixed-voltage
16%
MOSFET
5%
Nanoscale CMOS
11%
NMOS
16%
On chip
26%
On-chip ESD Protection
12%
Output Buffer
9%
Parasitic Capacitance
6%
PMOS
10%
Power Rail
15%
Power-rail ESD Clamp Circuit
12%
Protection Circuit
11%
Protection Design
34%
Protection Device
6%
Protection Scheme
7%
Silicon chip
6%
Silicon-controlled Rectifier
21%
Submicron CMOS
7%
System Level
14%
Transient Detection Circuit
9%
Transistor
6%
Engineering
Circuit Design
5%
CMOS Integrated Circuits
13%
Electric Lines
7%
Electrostatic Discharge
100%
Experimental Result
24%
Gate Oxide
17%
Holding Voltage
13%
Human Body Model
10%
Integrated Circuit
16%
Low-Temperature
7%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
8%
Microelectronics
5%
Nanoscale
11%
Parasitic Capacitance
8%
Polysilicon
12%
Power Rail
31%
Power Supply
8%
Protection Device
13%
Protection Scheme
7%
Radio Frequency
10%
Silicon-Controlled Rectifier
21%
Stimulator
7%
Supply Voltage
7%
Test Structure
5%
Transients
25%
