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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
柯 明道
教授
半導體工程學系
神經調控醫療電子系統研究中心
https://orcid.org/0000-0003-3622-181X
h-index
h10-index
h5-index
7938
引文
40
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
1416
引文
19
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
381
引文
9
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
1991 …
2026
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研究成果
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獎項
(4)
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(2)
類似的個人檔案
(6)
指紋
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排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
65nm CMOS
13%
Area-efficient
6%
Charged Device Model
5%
Clamp Circuit
20%
CMOS IC
19%
CMOS Integrated Circuits
13%
CMOS Process
64%
CMOS Technology
27%
Deep Submicron Technology
5%
Diode
9%
Electrostatic Discharge
69%
Electrostatic Discharge (ESD) Protection
63%
Electrostatic Discharge Test
7%
ESD Protection
20%
ESD Protection Design
14%
ESD Protection Device
14%
ESD Robustness
17%
Gate Oxide Reliability
8%
High Voltage Tolerant
6%
Holding Voltage
9%
Human Body Model
11%
Input-output
6%
Integrated Circuits
7%
Interface Circuit
5%
Latch-up
36%
Layout Area
9%
Low Power CMOS
14%
Low Voltage
11%
Low-temperature Polycrystalline Silicon
7%
Mixed-voltage
16%
MOSFET
5%
Nanoscale CMOS
11%
NMOS
16%
On chip
25%
On-chip ESD Protection
11%
Output Buffer
9%
Parasitic Capacitance
6%
PMOS
9%
Power Rail
15%
Power-rail ESD Clamp Circuit
12%
Protection Circuit
10%
Protection Design
33%
Protection Device
6%
Protection Scheme
6%
Silicon chip
6%
Silicon-controlled Rectifier
21%
Submicron CMOS
7%
System Level
14%
Transient Detection Circuit
8%
Transistor
6%
Engineering
CMOS Integrated Circuits
12%
Electric Lines
7%
Electrostatic Discharge
100%
Experimental Result
23%
Failure Analysis
5%
Gate Oxide
16%
Holding Voltage
13%
Human Body Model
11%
Integrated Circuit
16%
Interface Circuit
5%
Low-Temperature
7%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
8%
Microelectronics
5%
Nanoscale
10%
Parasitic Capacitance
8%
Polysilicon
12%
Power Rail
31%
Power Supply
8%
Protection Device
13%
Protection Scheme
7%
Radio Frequency
10%
Silicon-Controlled Rectifier
21%
Stimulator
7%
Supply Voltage
7%
Test Structure
5%
Transients
25%
