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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
柯 明道
教授
半導體工程學系
神經調控醫療電子系統研究中心
https://orcid.org/0000-0003-3622-181X
h-index
h10-index
h5-index
7426
引文
38
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
1163
引文
18
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
343
引文
10
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
1991 …
2025
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排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Electrostatic Discharge
70%
CMOS Process
66%
Electrostatic Discharge (ESD) Protection
65%
Latch-up
37%
Protection Design
34%
CMOS Technology
28%
On chip
27%
ESD Protection
21%
Silicon-controlled Rectifier
21%
Clamp Circuit
21%
CMOS IC
19%
ESD Robustness
17%
NMOS
17%
Power Rail
16%
Mixed-voltage
15%
Low Power CMOS
15%
ESD Protection Device
14%
System Level
14%
ESD Protection Design
14%
CMOS Integrated Circuits
13%
65nm CMOS
13%
On-chip ESD Protection
12%
Power-rail ESD Clamp Circuit
12%
Low Voltage
11%
Nanoscale CMOS
11%
Protection Circuit
11%
Human Body Model
11%
PMOS
10%
Layout Area
9%
Output Buffer
9%
Holding Voltage
9%
Transient Detection Circuit
9%
Diode
9%
Gate Oxide Reliability
8%
Low-temperature Polycrystalline Silicon
8%
Electrostatic Discharge Test
7%
Submicron CMOS
7%
Protection Scheme
7%
High Voltage Tolerant
7%
Integrated Circuits
7%
Input-output
7%
Transistor
7%
Silicon chip
6%
Protection Device
6%
Area-efficient
6%
Parasitic Capacitance
6%
Deep Submicron Technology
6%
Charged Device Model
6%
Polysilicon Diode
5%
Leakage Current
5%
Engineering
Electrostatic Discharge
100%
Power Rail
31%
Transients
25%
Experimental Result
24%
Silicon-Controlled Rectifier
22%
Gate Oxide
17%
Integrated Circuit
16%
Holding Voltage
13%
CMOS Integrated Circuits
13%
Protection Device
13%
Polysilicon
12%
Nanoscale
11%
Radio Frequency
10%
Human Body Model
10%
Power Supply
8%
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
8%
Parasitic Capacitance
8%
Low-Temperature
7%
Supply Voltage
7%
Stimulator
7%
Protection Scheme
7%
Electric Lines
7%
Microelectronics
5%
Test Structure
5%
Circuit Design
5%
