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人員
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研究成果
計畫
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活動
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影響
查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
陳 振芳
教授
電子物理學系
電話
03-5712121#56124
電子郵件
jfchen
cc.nctu.edu
tw
h-index
2108
引文
24
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
1982 …
2015
每年研究成果
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(9)
研究成果
(150)
獎項
(3)
類似的個人檔案
(7)
指紋
查看啟用 Jenn-Fang Chen 的研究主題。這些主題標籤來自此人的作品。共同形成了獨特的指紋。
排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
Gallium Arsenide
86%
GaSb
55%
Quantum Dots
52%
AlSb
42%
Molecular Beam Epitaxy
41%
Band-to-band Tunneling
41%
InAs Quantum Dots
34%
Organic Light-emitting Diodes
30%
InGaAs
30%
Admittance Spectroscopy
28%
Strain Relaxation
24%
Tunnel Structure
24%
GaAs Quantum Dot
24%
GaAs Quantum Well
22%
Low Temperature
20%
InGaAsN
20%
Capacitance-voltage
17%
Photoluminescence
16%
Activation Energy
16%
Light-emitting Diodes
16%
Vertical-cavity Surface-emitting Laser (VCSEL)
15%
Electron Emission
15%
Tunnel Diode
14%
Carrier Depletion
14%
Room Temperature
14%
Electrical Properties
13%
Alq3
13%
Double Barrier
12%
Electrical Characterization
12%
Deep Level Transient Spectroscopy
12%
Metal-organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
12%
Naphthyl
12%
Self-assembled Quantum Dots
12%
Conduction Band
12%
Temperature Dependence
12%
SnTe
12%
Methyl
11%
Quantum Well
11%
P-i-n
11%
Tris
10%
Indium Gallium Nitride (InGaN)
10%
Carrier Distribution
10%
Highly Efficient
10%
Doped Layer
10%
Power Output
10%
Single Quantum Well
9%
Blue Shift
9%
N-type
9%
Induced Defects
9%
Highly Stable
9%
Material Science
Gallium Arsenide
100%
Quantum Dot
60%
Capacitance
36%
Light-Emitting Diode
35%
Molecular Beam Epitaxy
33%
Indium Gallium Arsenide
29%
Photoluminescence
25%
Quantum Well
25%
Density
18%
Schottky Diode
15%
Doping (Additives)
14%
Activation Energy
14%
Electrical Property
13%
Indium Tin Oxide
13%
Oxide Compound
12%
Annealing
11%
Cathode
11%
Organic Light-Emitting Diode System
11%
Deep-Level Transient Spectroscopy
10%
Tungsten
10%
Heterojunction
8%
Current Voltage Characteristics
8%
Antimony
8%
Electronic Circuit
7%
Current-Voltage Characteristic
7%
Transmission Electron Microscopy
7%
Electron Mobility
7%
Transistor
7%
Aluminum
6%
Electron Transfer
5%
