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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
林 鴻志
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2751
引文
24
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按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
311
引文
10
h-指數
按照存儲在普爾(Pure)的出版物數量及斯高帕斯(Scopus)引文計算。
84
引文
6
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1993 …
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2005
High performance P-channel schottky barrier thin-film transistors with PtSi source/drain
Lee, M. H., Huang, T. Y., Yeh, K. L. &
Lin, H.-C.
,
10月 2005
,
p. 99-103
.
5 p.
研究成果
›
同行評審
High Performance
100%
Thin-film Transistors
100%
PtSi
100%
Schottky Barrier
100%
P-channel
100%
2001
New experimental evidences of the plasma charging enhanced hot carrier effect and its impact on surface channel CMOS devices
Chen, S. J., Lin, C. C., Chung, S. S. &
Lin, H.-C.
,
4月 2001
,
p. 33-36
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Charge Plasma
100%
CMOS Devices
100%
Surface Channel
100%
Hot Carrier Effect
100%
Edge Damage
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
Thermal stability of PVD TiN gate and its impacts on characteristics of CMOS transistors
Wang, M. F., Kao, Y. C., Huang, T. Y.,
Lin, H.-C.
& Chang, C. Y.,
1 1月 2001
,
p. 36-39
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Thermal Stability
100%
P-n Junction
100%
Rapid Thermal Annealing
100%
Transistor
100%
CMOS Transistor
100%
7
引文 斯高帕斯(Scopus)
2000
Improved plasma charging immunity in ultra-thin gate oxide with fluorine and nitrogen implantation
Chen, C. C.,
Lin, H.-C.
, Chang, C. Y., Huang, C. C.,
Chien, C.-H.
, Huang, T. H. & Liang, M. S.,
2000
,
p. 121-124
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Charge Plasma
100%
Ultra-thin Gate Oxide
100%
Nitrogen Ion Implantation
100%
Fluorine Ion Implantation
100%
Oxide Compound
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
Plasma process induced damage in sputtered TiN metal gate capacitors with ultra-thin nitrided oxide
Chen, C. C.,
Lin, H.-C.
, Chang, C. Y.,
Chao, T.-S.
, Huang, S. C., Wu, W. F., Huang, T. Y. & Liang, M. S.,
2000
,
p. 117-120
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Capacitors
100%
Ultrathin
100%
Plasma-induced Damage
100%
Nitrided Oxide
100%
TiN Gate
100%
6
引文 斯高帕斯(Scopus)
1999
Plasma-induced charging damage in ultrathin (3 nm) nitrided oxides
Chen, C. C.,
Lin, H.-C.
, Chang, C. Y., Liang, M. S.,
Chien, C.-H.
, Hsien, S. K. & Huang, T. Y.,
1999
,
p. 141-144
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Ultrathin
100%
Charging Damage
100%
Nitrided Oxide
100%
Plasma-induced
100%
Experimental Result
100%
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
1997
Combination effects of nitrogen implantation at S/D extension and N
2
O oxide on 0.18 μm n- and p-MOSFETs
Chao, T.-S.
,
Chien, C.-H.
, Chiao, S. K.,
Lin, H.-C.
, Liaw, M. C., Chen, L. P., Huang, T. Y., Lei, T. F. & Chang, C. Y.,
1997
,
p. 316-320
.
5 p.
研究成果
›
同行評審
NMOSFET
100%
PMOSFET
100%
Oxides
100%
Nitrogen Ion Implantation
100%
Nitrogen Effect
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)
Model for photoresist-induced charging damage in ultra-thin gate oxides
Lin, H.-C.
,
Chien, C.-H.
, Wang, M. F., Huang, T. Y. & Chang, C. Y.,
1997
,
p. 247-250
.
4 p.
研究成果
›
同行評審
Photoresist
100%
Charging Damage
100%
Ultra-thin Gate Oxide
100%
Gate Oxide
100%
Antenna
100%
3
引文 斯高帕斯(Scopus)
1996
Plasma charging induced gate oxide damage during metal etching and ashing
Lin, H.-C.
, Perng, C. H.,
Chien, C.-H.
, Chiou, S. G., Chang, T. F., Huang, T. Y. & Chang, C. Y.,
1996
,
p. 113-116
.
4 p.
研究成果
:
Paper
›
同行評審
Charge Plasma
100%
Etcher
100%
Gate Oxide Breakdown
100%
Ashing
100%
Metal Etching
100%
1
引文 斯高帕斯(Scopus)