每年研究成果
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2016
串接式之高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
Hsu, H.-T. (Inventor) & Chang, E. Y. (Inventor), 29 1月 2016, 專利號 5874889研究成果: Patent
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提升高電子遷移率電晶體元件崩潰電壓的方法
Chang, E. Y. (Inventor) & Hsu, H.-T. (Inventor), 21 2月 2016, 專利號 I523148研究成果: Patent
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2015
GATE STRUCTURE
Hsu, H.-T. (Inventor) & Chang, E. Y. (Inventor), 27 10月 2015, 專利號 US 9,171,920 B2研究成果: Patent
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2014
串接式之高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
Chang, E. Y. (Inventor) & Hsu, H.-T. (Inventor), 17 3月 2014, 專利號 10-1377165研究成果: Patent
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2013
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2012
HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
Hsu, H.-T. (Inventor) & Chang, E. Y. (Inventor), 1 5月 2012, 專利號 US 8,169,002 B2研究成果: Patent