Edward Yi Chang

每年研究成果

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2017

Corrections to AlGaN/GaN HEMTs with damage-free neutral beam etched gate recess for high-performance millimeter-wave applications
Lin, Y. K., Noda, S., Lo, H. C., Liu, S. C., Wu, C. H., Wong, Y. Y., Luc, Q. H., Chang, P. C., Hsu, H-T., Samukawa, S. & Chang, E. Y., 1 1月 2017, 於: IEEE Electron Device Letters. 38, 1, 1 p., 7802679.
研究成果: Letter › 同行評審
2015
The reliability study of III-V solar cell with copper based contacts
Hsu, C. H., Chang, E. Y., Chang, H. J., Maa, J. S. & Pande, K., 1 12月 2015, 於: Solid-State Electronics. 114, p. 174-177 4 p.
研究成果: Letter › 同行評審
4 引文斯高帕斯（Scopus）
2004
Low-noise metamorphic HEMTs with reflowed 0.1-μm T-gate
Lien, Y. C., Chang, E. Y., Chang, H. C., Chu, L. H., Huang, G. W., Lee, H. M., Lee, C. S., Chen, S. H., Shen, P. T. & Chang, C. Y., 1 6月 2004, 於: IEEE Electron Device Letters. 25, 6, p. 348-350 3 p.
研究成果: Letter › 同行評審
31 引文斯高帕斯（Scopus）
2003
Study of nickel silicide contact on Si/Si_1-xGe_x
Yang, T. H., Luo, G., Chang, E. Y., Yang, T. Y., Tseng, H. C. & Chang, C. Y., 1 9月 2003, 於: IEEE Electron Device Letters. 24, 9, p. 544-546 3 p.
研究成果: Letter › 同行評審
22 引文斯高帕斯（Scopus）

張 翼