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個人檔案
研究專長
三五族半導體材料及元件技術、砷化鎵及砷化銦高頻元件技術、氮化鎵高頻及高功率元件技術、砷化銦鎵及氮化鎵磊晶技術、三五族高頻高功率模組構裝技術。
經歷
國立交通大學國際半導體產學學院院長(2014/09~迄今)
交大-台積電聯合研發中心主任(2013~迄今)
國立交通大學研發長 (2011/02~2016/07)
國立交通大學-台積電聯合研發中心主任 (2013/05~迄今)
國立交通大學鑽石計畫推動辦公室主任 (2011/02~迄今)
國立交通大學材料所/電子所合聘教授 (2008/02~迄今)
國立交通大學材料科學與工程學系系主任 (2004/02~2008/02)
國立交通大學國際化事務辦公室執行長 (2002/06~2004/01)
國立交通大學材料科學與工程學系教授 (1999/02~2008/02)
漢威光電公司總經理 (1997/12-1999/01)
美國Comsat Labs, Senior MTS/Microelectronics Division (1988/05~1990/01)
美國Unisys Corp, Senior MTS/GaAs Component Division (1985/12~1988/05)
教育/學術資格
PhD, 材料科學與工程, University of Minnesota Twin Cities
外部位置
指紋
- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
專案
- 79 已完成
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開發應用於下世代通訊系統之高線性度氮化鎵射頻元件
Chang, E. Y. (PI)
1/08/24 → 31/07/25
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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開發應用於下世代通訊系統之高線性度氮化鎵射頻元件
Chang, E. Y. (PI)
1/08/23 → 31/07/24
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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臺瑞(SE)雙邊協議型擴充加值(add-on)國際合作研究計畫—具創新歐姆接觸材料與技術之毫米波/次毫米波氮化鎵高電子遷移率電晶體(3/5)
Chang, E. Y. (PI)
1/10/22 → 30/09/23
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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新南向計畫之111年度研發菁英人才專班 (110年核定且已執行之碩博士班別)
Chang, E. Y. (PI)
1/08/22 → 31/07/23
研究計畫: Ministry of Education(Include School)
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開發應用於下世代通訊系統之高線性度氮化鎵射頻元件
Chang, E. Y. (PI)
1/08/22 → 31/07/23
研究計畫: Other Government Ministry Institute
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Characteristics of GaN MIS-HEMT with ZrO2/HfO2 Superlattice Gate Dielectric Layer
Chen, K. L., Chou, H., Lin, K. S., Chen, Y., Yang, H. C., Weng, Y. C., Yang, C. Y., Jang, W. Y., Chang, S. Z., Chang, E. Y. & Lin, C. H., 1 1月 2026, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 15, 1, 015007.研究成果: Article › 同行評審
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Cryogenic Temperature Electrical Characterization of Enhancement-Mode Thin Barrier AlGaN/GaN HEMT with Hybrid Ferroelectric Charge Trap Gate-Stack
Rai, R., Nguyen, K. Q., Ho, V. Q., Tran, H. D., Mazhari, B. & Chang, E. Y., 1 4月 2026, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 73, 4, p. 2478-2485 8 p.研究成果: Article › 同行評審
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Design of GaN HEMT Buck Converter for BCM Operation
Hsieh, Y. T., Chen, C. H., Chen, T. L., Chieng, W. H. & Chang, E. Y., 4月 2026, 於: Energies. 19, 7, 1700.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
Effect of in-situ ozone annealing on top-gate atomic layer deposited InZnOx channel thin-film transistors on various underlying dielectric layers
Lin, G. H., Li, Y. T., Chen, Y., Yang, H. C., Chen, C. W., Chou, T. T., Kei, C. C., Jang, W. Y., Chang, S. Z., Chang, E. Y. & Lin, C. H., 2月 2026, 於: Materials Science in Semiconductor Processing. 202, 110176.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯(Scopus) -
Efficiency-Based CLLC Bidirectional DC-DC Converter Using Copolar Switching
Hsieh, Y. T., Chen, C. H., Shieh, W. Y., Haung, C. C., Chieng, W. H. & Chang, E. Y., 4月 2026, 於: Energies. 19, 8, 1820.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取
獎項
活動
- 3 Invited talk