每年專案
個人檔案
研究專長
三五族半導體材料及元件技術、砷化鎵及砷化銦高頻元件技術、氮化鎵高頻及高功率元件技術、砷化銦鎵及氮化鎵磊晶技術、三五族高頻高功率模組構裝技術。
經歷
國立交通大學國際半導體產學學院院長(2014/09~迄今)
交大-台積電聯合研發中心主任(2013~迄今)
國立交通大學研發長 (2011/02~2016/07)
國立交通大學-台積電聯合研發中心主任 (2013/05~迄今)
國立交通大學鑽石計畫推動辦公室主任 (2011/02~迄今)
國立交通大學材料所/電子所合聘教授 (2008/02~迄今)
國立交通大學材料科學與工程學系系主任 (2004/02~2008/02)
國立交通大學國際化事務辦公室執行長 (2002/06~2004/01)
國立交通大學材料科學與工程學系教授 (1999/02~2008/02)
漢威光電公司總經理 (1997/12-1999/01)
美國Comsat Labs, Senior MTS/Microelectronics Division (1988/05~1990/01)
美國Unisys Corp, Senior MTS/GaAs Component Division (1985/12~1988/05)
教育/學術資格
PhD, University of Minnesota Twin Cities
外部位置
指紋
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- 12 類似的個人檔案
網路
國家/地區層面的近期外部共同作業。按一下圓點深入探索詳細資料，或
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臺瑞(SE)雙邊協議型擴充加值(add-on)國際合作研究計畫-具創新歐姆接觸材料與技術之毫米波/次毫米波氮化鎵高電子遷移率電晶體(1/5)
1/10/20 → 30/09/21
研究計畫: Ministry of Science and Technology
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Analysis of High-Frequency Behavior of AlGaN/GaN HEMTs and MIS-HEMTs under UV Illumination
Chen, K. M., Lin, C. J., Nagarajan, V., Chang, E. Y., Lin, C. W. & Huang, G. W., 2021, 於: ECS Journal of Solid State Science and Technology. 10, 5, 055004.研究成果: Article › 同行評審
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Analysis of instability behavior and mechanism of e-mode gan power hemt with p-gan gate under off-state gate bias stress
Elangovan, S., Chang, E. Y. & Cheng, S., 2 四月 2021, 於: Energies. 14, 8, 2170.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
Derivation of the Resonance Mechanism for Wireless Power Transfer Using Class-E Amplifier
Liu, C. Y., Wang, G. B., Wu, C. C., Chang, E. Y., Cheng, S. & Chieng, W-H., 26 一月 2021, 於: Energies. 14, 3, 22 p., 632.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取 -
Erratum: Room-temperature deposition of a poling-free ferroelectric AlScN film by reactive sputtering (Applied Physics Letters (2021)118 (082902) DOI: 10.1063/5.0035335)
Tsai, S. L., Hoshii, T., Wakabayashi, H., Tsutsui, K., Chung, T. K., Chang, E. Y. & Kakushima, K., 8 三月 2021, 於: Applied Physics Letters. 118, 10, 109901.研究成果: Comment/debate
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Fabrication and Characterization of GaN-Based Fin-Channel Array Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors with Recessed-Gate and GaO Gate Insulator Layer
Lee, H. Y., Chang, T. W., Chang, E. Y., Rorsman, N. & Lee, C. T., 2021, 於: IEEE Journal of the Electron Devices Society. 9, p. 393-399 7 p., 9392009.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取
獎品
活動
- 3 Invited talk