Chung-Yong Tsai

每年研究成果

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程式語言、計算機系統

國立交通大學電控工程學系講師

Master, 系統分析, University West of Florida

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High-performance charge-trapping flash memory device with an ultrathin 2.5-nm equivalent-Si ₃N ₄-thickness trapping layer
Tsai, C-Y. & Chin, A., 1 1月 2012, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 59, 1, p. 252-254 3 p., 6078413.
研究成果: Article › 同行評審
7 引文斯高帕斯（Scopus）
High-performance GaN MOSFET with high-κ LaAlO ₃/SiO ₂ gate dielectric
Tsai, C-Y., Wu, T. L. & Chin, A., 1 1月 2012, 於: IEEE Electron Device Letters. 33, 1, p. 35-37 3 p., 6087370.
研究成果: Article › 同行評審
79 引文斯高帕斯（Scopus）
Arsenic-implanted HfON charge-trapping flash memory with large memory window and good retention
Tsai, C-Y., Lee, T. H. & Chin, A., 1 3月 2011, 於: IEEE Electron Device Letters. 32, 3, p. 381-383 3 p., 5699333.
研究成果: Article › 同行評審
15 引文斯高帕斯（Scopus）
High performance charge-trapping flash memory with highly-scaled trapping layer
Chin, A., Tsai, C-Y. & Wang, H., 1 12月 2011, p. 32-35. 4 p.
研究成果: Paper › 同行評審
1 引文斯高帕斯（Scopus）
Size-dependent trapping effect in nano-dot non-volatile memory
Tsai, C-Y., Cheng, C. H., Chang, T. Y., Chou, K. Y., Chin, A. & Yeh, F. S., 1 12月 2011, Physics and Technology of High-k Materials 9. 3 編輯 p. 121-132 12 p. (ECS Transactions; 卷 41, 編號 3).
研究成果: Conference contribution › 同行評審
1 引文斯高帕斯（Scopus）