每年研究成果
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2023
Vertical GaN MOSFET Power Devices
Langpoklakpam, C., Liu, A. C., Hsiao, Y. K., Lin, C. H. & Kuo, H. C., 10月 2023, 於: Micromachines. 14, 10, 1937.研究成果: Review article › 同行評審
開啟存取8 引文 斯高帕斯（Scopus） -
2021
Development of GaN HEMTs fabricated on silicon, silicon-on-insulator, and engineered substrates and the heterogeneous integration
Hsu, L. H., Lai, Y. Y., Tu, P. T., Langpoklakpam, C., Chang, Y. T., Huang, Y. W., Lee, W. C., Tzou, A. J., Cheng, Y. J., Lin, C. H., Kuo, H.-C. & Chang, E. Y., 10月 2021, 於: Micromachines. 12, 10, p. 1-32 32 p., 1159.研究成果: Review article › 同行評審
開啟存取43 引文 斯高帕斯（Scopus） -
The evolution of manufacturing technology for gan electronic devices
Liu, A. C., Tu, P. T., Langpoklakpam, C., Huang, Y. W., Chang, Y. T., Tzou, A. J., Hsu, L. H., Lin, C. H., Kuo, H. C. & Chang, E. Y., 7月 2021, 於: Micromachines. 12, 7, p. 1-20 20 p., 737.研究成果: Review article › 同行評審
開啟存取35 引文 斯高帕斯（Scopus）