Chun-Hsiung Lin - 研究成果 - 國立陽明交通大學研發優勢分析平台

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2021
Effect of Annealing Temperature on Ferroelectric Properties of ALD Deposited TiN/HZO/TiN Capacitor
Lin, J.-W., Lin, J.-W., Wu, J.-S., Su, C.-J., Chang, E. Y. & Lin, C.-H., 10月 2021.
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