林 群雄

專案

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每年專案

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  臺瑞(SE)雙邊協議型擴充加值(add-on)國際合作研究計畫—開發應用於毫米波/次毫米波之氮化銦鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體於絕緣體上矽(SOI)基板(3/5)

  Lin, C.-H. (PI)

  1/10/22 → 30/09/23

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 原子層沉積法製造奈米級鐵電閘極氧化物薄膜電晶體於記憶體之應用

  Lin, C.-H. (PI)

  1/08/22 → 31/07/23

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 砷化銦鎵通道MOSFET於高頻放大器之應用及砷化銦鎵通道與矽鰭式場效電晶體以Core-Shell結構整合

  Lin, C.-H. (PI)

  1/03/22 → 28/02/23

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 臺瑞(SE)雙邊協議型擴充加值(add-on)國際合作研究計畫—開發應用於毫米波/次毫米波之氮化銦鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體於絕緣體上矽(SOI)基板(2/5)

  Lin, C.-H. (PI)

  1/10/21 → 30/09/22

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 砷化銦鎵通道MOSFET於高頻放大器之應用及砷化銦鎵通道與矽鰭式場效電晶體以Core-Shell結構整合

  Lin, C.-H. (PI)

  1/03/21 → 28/02/22

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 臺瑞(SE)雙邊協議型擴充加值(add-on)國際合作研究計畫-開發應用於毫米波/次毫米波之氮化銦鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體於絕緣體上矽(SOI)基板(1/5)

  Lin, C.-H. (PI)

  1/10/20 → 30/09/21

  研究計畫: Other Government Ministry Institute

• 砷化銦鎵通道MOSFET於高頻放大器之應用及砷化銦鎵通道與矽鰭式場效電晶體以Core-Shell結構整合

  Lin, C.-H. (PI)

  1/03/20 → 28/02/21

  研究計畫: Other Government Ministry Institute