每年專案
個人檔案
研究專長
Advanced III-V compound semiconductor and Si CMOS Devices
Compound semiconductor device manufacturing and integration (GaAs, InP, Sb-based and GaN)
Semiconductor process technology of advanced 3D Si CMOS devices (e.g. FinFET) Microelectronics Materials Science & Engineering
教育/學術資格
PhD, 材料科學與工程, University of Illinois at Urbana-Champaign
指紋
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- 1 類似的個人檔案
過去五年中的合作和熱門研究領域
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專案
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臺瑞(SE)雙邊協議型擴充加值(add-on)國際合作研究計畫—開發應用於毫米波/次毫米波之氮化銦鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體於絕緣體上矽(SOI)基板(3/5)
Lin, C.-H. (PI)
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原子層沉積法製造奈米級鐵電閘極氧化物薄膜電晶體於記憶體之應用
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砷化銦鎵通道MOSFET於高頻放大器之應用及砷化銦鎵通道與矽鰭式場效電晶體以Core-Shell結構整合
Lin, C.-H. (PI)
1/03/22 → 28/02/23
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砷化銦鎵通道MOSFET於高頻放大器之應用及砷化銦鎵通道與矽鰭式場效電晶體以Core-Shell結構整合
Lin, C.-H. (PI)
1/03/21 → 28/02/22
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High-Frequency Pulsed Laser Driver Using Complementary GaN HEMTs
Liu, C. Y., Lin, C.-H., Kuo, H.-C., Tang, L. C., Hong, Y. H., Tu, C. C., Chang, E. Y. & Chieng, W. H., 2025, 於: IEEE Transactions on Power Electronics. 40, 2, p. 3370-3384 15 p.研究成果: Article › 同行評審
開啟存取3 引文 斯高帕斯（Scopus） -
In Situ O2 Plasma-Treated HfO2-ZrO2 Superlattice HZO FeRAMs Exhibiting Enhanced Remnant Polarization and Improved Endurance Performance
Hsieh, D. R., Hong, Z. Y., Yeh, W. J., Ni, J. C., Luo, H. E., Liang, Y. K., Lin, C. H. & Chao, T. S., 2025, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 72, 1, p. 259-265 7 p.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Analysis of breakdown voltage for GaN MIS-HEMT with various composite field plate configurations and passivation layers
Langpoklakpam, C., Hsiao, Y. K., Yi Chang, E., Lin, C. H. & Kuo, H. C., 6月 2024, 於: Solid-State Electronics. 216, 108930.研究成果: Article › 同行評審
1 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Demonstration of Wake-Up Free 6 nm Ultrathin ZrO-HfO Superlattice Ferroelectric Capacitors with High Endurance Against Fatigue
Liang, Y. K., Liu, Z., Cai, Z., Han, X., Huang, H. Y., Lin, Y. M., Chang, E. Y., Lin, C. H., Takenaka, M., Toprasertpong, K. & Takagi, S., 2024, 於: Ieee Electron Device Letters. 45, 8, p. 1468-1471 4 p.研究成果: Article › 同行評審
2 引文 斯高帕斯（Scopus） -
Highly Scaled BEOL-Compatible Thin Film Transistors With Ultrathin Atomic Layer Deposited Indium-Tin-Zinc-Oxide Channel
Liang, Y. K., Zheng, J. Y., Lin, Y. L., Lu, Y. C., Hsieh, D. R., Chou, T. T., Kei, C. C., Huang, H. Y., Lin, Y. M., Tseng, Y. C., Chao, T. S., Chang, E. Y., Toprasertpong, K., Takagi, S. & Lin, C. H., 1 6月 2024, 於: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 6, p. 3671-3677 7 p.研究成果: Article › 同行評審
5 引文 斯高帕斯（Scopus）