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查看斯高帕斯 (Scopus) 概要
胡 正明
約聘教授
國際半導體產業學院
智慧半導體奈米系統技術研究中心
https://orcid.org/0000-0003-0836-6296
h-index
h10-index
h5-index
46868
引文
106
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
8701
引文
40
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
2693
引文
27
h-指數
按照存儲在普爾（Pure）的出版物數量及斯高帕斯（Scopus）引文計算。
1971 …
2024
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(7)
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排序方式
重量
按字母排序
Keyphrases
MOSFET
60%
Fin Field-effect Transistor (FinFET)
22%
Compact Model
21%
Oxides
19%
Transistor
16%
PMOSFET
11%
CMOS Technology
11%
Gate Length
11%
Circuit Simulation
11%
SOI MOSFET
11%
Gate Oxide
10%
Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET)
10%
Deep Submicron
10%
Gate Dielectric
9%
MOSFET Model
9%
NMOSFET
9%
Silica
9%
Threshold Voltage
8%
Short Channel
8%
Hot Electrons
8%
Electromigration
7%
FDSOI
7%
Hot Carriers
7%
High Performance
7%
Thin Oxides
7%
Ultra-thin Body
7%
Channel Length
7%
Industry Standards
7%
Silicon-on-insulator
7%
Leakage Current
7%
Berkeley
6%
Oxide Thickness
6%
Short Channel Effects
6%
Spices
6%
Substrate Current
6%
Drain Current
6%
Low Voltage
6%
Gate Current
5%
SPICE Model
5%
Compact Modeling
5%
Inversion Layer
5%
Gate Oxide Thickness
5%
CMOS Devices
5%
Capacitance
5%
HfO2
5%
Annealing
5%
Double-gate MOSFET
5%
Engineering
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Gate Oxide
19%
Field Effect Transistor
16%
Oxide Thickness
15%
Interconnects
14%
SPICE
13%
Dielectrics
13%
Gate Length
12%
Circuit Simulation
12%
Silicon on Insulator
11%
Silicon Dioxide
10%
Channel Length
10%
Tunnel Construction
10%
Hot Electron
9%
Nodes
9%
Industry Standard
9%
Electromigration
8%
Current Drain
8%
Field-Effect Transistor
8%
Transients
7%
Electric Field
7%
Polysilicon
7%
Surface Potential
6%
Thin Films
6%
Oscillator
6%
Inverter
5%
Gate Voltage
5%
Analytical Model
5%
Circuit Design
5%
Current Drive
5%
