郭 政煌

研究成果

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每年研究成果

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• 2002

  InGaN/GaN light emitting diodes activated in O₂ ambient

  Kuo, C-H., Chang, S. J., Su, Y. K., Chen, J. F., Wu, L. W., Sheu, J. K., Chen, C. H. & Chi, G. C., 1 5月 2002, 於: IEEE Electron Device Letters. 23, 5, p. 240-242 3 p.

  研究成果: Letter › 同行評審

  • Light emitting diodes 100%
  • Annealing 66%
  • Epitaxial films 51%
  • Purity 51%
  • Chemical activation 30%
  55 引文 斯高帕斯（Scopus）